Métodos comunes para cortar obleas

El trazado de obleas, como paso clave en la fabricación de semiconductores, afecta directamente la calidad y el rendimiento del chip. El proceso consiste en cortar una oblea de silicio en miles de trozos diminutos, cada uno de los cuales es un chip. Con el progreso continuo de la ciencia y la tecnología, los métodos de trazado de obleas también se desarrollan e innovan constantemente; a continuación se presentan varios métodos de trazado de obleas convencionales.

Trazado de obleas: evolución de la tecnología de corte El trazado de obleas es el proceso de cortar una oblea en miles de chips individuales. Este paso tiene lugar después de que la oblea haya completado todos los procesos de fabricación de semiconductores para que cada chip pueda empaquetarse y usarse individualmente.

Tradicionalmente, tenemos dos métodos de trazado convencionales: trazado mecánico y trazado láser.

Trazado mecánico: este es un método de cortar físicamente una oblea usando un disco de diamante y es la tecnología de trazado más tradicional y ampliamente utilizada. Su ventaja es que el costo del equipo es relativamente bajo y es adecuado para obleas de una variedad de materiales. Sin embargo, la precisión del trazado mecánico no es alta y es propenso a problemas como una baja tasa de trazado y rotura de bordes, especialmente en obleas con un espesor de más de 100 µm.

Trazado por láser: con el avance de la tecnología, el trazado por láser se ha convertido gradualmente en una opción más avanzada. Incluye principalmente dos formas: corte oculto por láser y corte completo por láser. La tecnología de corte oculto por láser puede lograr un corte de alta precisión formando una fina grieta dentro de la oblea, manteniendo la superficie intacta. El corte completo con láser se realiza directamente a través de todo el espesor de la oblea para lograr un corte en un solo paso. Las ventajas del trazado por láser son una velocidad de trazado rápida, un daño por tensión pequeño y una alta precisión, pero el costo es relativamente alto.

Procesos innovadores: DBG y trazado ranurado Además de los métodos de trazado tradicionales mencionados anteriormente, también existen algunos procesos innovadores en el mercado. como DBG (Dicing Before Grinder) y tecnología de corte ranurado. El proceso DBG consiste en cortar primero la parte frontal de la oblea a una profundidad específica y luego moler la parte posterior de la oblea a la profundidad correspondiente, reduciendo así el problema de rotura de la oblea. El ranurado se realiza primero con un láser o con un disco de diamante grueso y luego se ranura con cuidado para reducir el problema de rotura de los bordes y mejorar la calidad del trazado. Con el continuo desarrollo de la tecnología de semiconductores, el proceso de corte de obleas también está mejorando. La futura tecnología de corte prestará más atención al equilibrio entre precisión, eficiencia y costo para satisfacer la creciente demanda del mercado. Ya sea mediante la mejora de la tecnología existente o el desarrollo de nuevos métodos de corte, la innovación en la tecnología de corte de obleas brindará un espacio de desarrollo más amplio para la industria de los semiconductores.

Como exploradores a la vanguardia de la ciencia y la tecnología, esperemos el futuro desarrollo y avance de la tecnología de corte de obleas y creamos que en un futuro cercano, esta tecnología central llevará a la industria de los semiconductores a un pico más alto. Únete a mi comunidad de conocimiento, seamos testigos del poder de la tecnología y exploremos más maravillas desconocidas.

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