Kodu
Tooted
01
Alumiiniumist ränikarbiidist konstruktsiooniosa, mida kasutatakse lennunduses, kosmosesõidus, merelaevades, raudteetransiidis, uute energiasõidukite valdkonnas
AISIC-i omaduste võrdlus traditsiooniliste metalli- ja keraamiliste materjalidega:
| alumiiniumisulam (7050) | titaanisulam (TC4) | roostevaba teras (SUS304) | SIC | Alumiiniumoksiid | AISiC | |
| Tihedus (g/cm3) | 2.8 | 4.5 | 7.9 | 3.2 | 3.97 | 2,8-3,2 |
| Laienduse tugevus (MPa) | ≥496 | ≥985 | ≥520 | - | - | 270-450 |
| Elastsusmoodul (Gpa) | 69 | 110 | 210 | 330 | 300 | 160-280 |
| Paindetugevus (Mpa) | - | - | - | 350-600 | 290 | 230-450 |
| Lineaarpaisumise koefitsient (×10/℃) | kakskümmend neli | 8.6 | 17.3 | 4.5 | 7.2 | 4,5-16 |
| Soojusjuhtivus (W/m·K) | 154-180 | 8 | 15 | 126 | 20 | 163-255 |
Keskmise ja suure korpusega alumiiniumist ränikarbiidist komposiitmaterjalid, mille võtsime kasutusele uut tüüpi töötluse ettevalmistamisel ilma liidesetappita, mis väldib tõhusalt metallkeraamiliste komposiitmaterjalide hapruse puudujääke ning parandab oluliselt materjalide töötlemisvõimet ja kasutusala.
1. Alumiinium ränikarbiid - konstruktsiooniosad
Kõrgtugevad täppiskonstruktsiooniosad – kerge, suure jäikuse, mõõtmete stabiilsuse, kulumiskindluse ja korrosioonikindlusega, alumiiniumsulami, roostevaba terase, titaanisulami asemel, kasutatakse ülitäpsetes kulumiskindlates konstruktsiooniosades, millel on vastukaalu nõuded .
| Tihedus (g/cm3) | Paindetugevus (MPa) | Elastsusmoodul (GPa) | Pikenemiskiirus (%) | Summutuse suhe (ζ,%) | Soojusjuhtivus (W/m·K)@25 ℃ | Lineaarpaisumise koefitsient (×10/℃) 25-200 ℃ | |
| S45 SiC/AI | 2.925 | 298 | 172 | 1.2 | 0,42 | 203 | 11.51 |
| S50 SiC/AI | 2.948 | 335 | 185 | / | 0,52 | 207 | 10.42 |
| S55 SiC/AI | 2,974 | 405 | 215 | / | 0,66 | 210 | 9.29 |
| S60 SiC/AI | 2.998 | 352 | 230 | / | 0.7 | 215 | 8.86 |
2. Alumiinium ränikarbiid - soojust hajutav osa
Mikroelektrooniline jahutussubstraat/kest: alumiinium ränikarbiid on tuntud kui kolmanda põlvkonna elektroonilised pakkematerjalid oma suurepäraste termiliste füüsikaliste omaduste tõttu ja seda kasutatakse laialdaselt elektroonikapakendite valdkonnas (esimene põlvkond nagu alumiinium, vask; teine põlvkond nagu Kewa, vaskmolübdeen, vase volframisulam... jne).
| Tihedus (g/cm) | Paindetugevus (MPa) | Elastsusmoodul (GPa) | Soojusjuhtivus (W/m·K) @25 ℃ | Lineaarpaisumise koefitsient (×10°/℃) 25-200°℃ | |
| T60SIC/AI | 2.998 | 260 | 229 | 220 | 8.64 |
| T65SIC/AI | 3.018 | 255 | 243 | 236 | 7.53 |
| T70SIC/AI | 3.05 | 251 | 258 | 217 | 6.8 |
| T75SIC/AI | 3.068 | 257 | 285 | 226 | 5.98 |
Toote eelised: Kõrge soojusjuhtivus, pinnafunktsiooni mitmekesine disain, Madal soojuspaisumistegur (sarnane kiibimaterjali soojuspaisumisteguriga) Madal keevituspoorsus.
IGBT paketi alusplaat: alumiiniumi ränikarbiidi soojusjuhtivus on kõrge ja madala soojuspaisumise koefitsiendiga (soojuspaisumistegur on sarnane kiibi materjaliga), vähendab tõhusalt pakendiahela pragunemise tõenäosust, parandab toote kasutusiga. Kiirraudteel, uued energiasõidukid, radar, tuuleenergia tootmine alumiiniumi, vase, vaskvolframi, vaskmolübdeeni, berülliumi, keraamika ja muude mikroelektroonika pakkematerjalide asendamiseks.
| Materjalid | Tihedus (g/cm*) | Lineaarpaisumise koefitsient (x 10°/°C) | Soojusjuhtivus (W/m·K) | Erijäikus (Gpa cm/g) |
| AISIC | 2,8-3,2 | 4,5-16 | 163-255 | 76-108 |
| Koos | 8.9 | 17 | 393 | 5 |
| AI (6061) | 2.7 | kakskümmend kolm | 171 | 25 |
| Ajakiri | 8.3 | 5.9 | 14 | 16 |
| Invar | 8.1 | 1.6 | 11 | 14 |
| Cu/Mo (15/85) | 10 | 7 | 160 | 28 |
| Cu/W(15/85) | 17 | 7.2 | 190 | 16 |