به گفته DigiTimes، کار تحقیق و توسعه تراشه های 2 نانومتری TSMC پیشرفت چشمگیری داشته است. این گره مهم گام بزرگ بعدی TSMC در فناوری تولید تراشه را نشان می دهد و یک ...
کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل شکاف باند گسترده، استحکام مکانیکی بالا و حرارت بالا به عنوان ماده جایگزین برای نیمه هادی های مبتنی بر سیلیکون (Si) در صنعت الکترونیک در نظر گرفته می شود.
