کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل شکاف باند وسیع، استحکام مکانیکی بالا و حرارت بالا به عنوان ماده جایگزین برای نیمه هادی های مبتنی بر سیلیکون (Si) در صنعت الکترونیک در نظر گرفته می شود.
فناوری جذب ویفر یک پیوند به ظاهر پیش پا افتاده اما حیاتی است. ویفرها چه حکاکی شده، چه رسوب داده شده یا لیتوگرافی، باید به طور پایدار و دقیق در موقعیت مناسب ثابت شوند تا از کارآمدی اطمینان حاصل شود.
