در فرآیند تولید ویفر، ویفر باید تا دمای خاصی گرم شود و یکنواختی دمای ویفر الزام بسیار سختی دارد، زیرا دمای یکنواخت ویفر...
تغییر به پلاسمای مبتنی بر هیدروژن، حکاکی با سرعت بالای بسترهای GaN را تضمین می کند و مهندسان دانشگاه اوزاکا در ژاپن ادعا می کنند که پیشرفت جدیدی در نازک شدن نیترید گالیوم (GaN...
