हाइड्रोजन-आधारित प्लाज्मा पर स्विच करने से GaN सबस्ट्रेट्स की उच्च गति नक़्क़ाशी सुनिश्चित होती है, और जापान में ओसाका विश्वविद्यालय के इंजीनियरों ने गैलियम नाइट्राइड (GaN) को पतला करने में एक नई सफलता हासिल करने का दावा किया है...
दस वर्षों से अधिक समय से, सेमीकंडक्टर निर्माण में इमर्शन लिथोग्राफी मुख्य एक्सपोज़र तकनीक रही है।