SiC के महत्वपूर्ण पैरामीटर क्या हैं?
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एक महत्वपूर्ण वाइड बैंड गैप सेमीकंडक्टर सामग्री है, जिसका व्यापक रूप से उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग किया जाता है। सिलिकॉन कार्बाइड शीट के कुछ प्रमुख पैरामीटर और उनकी विस्तृत व्याख्या निम्नलिखित हैं:
जाली पैरामीटर्स
सुनिश्चित करें कि सब्सट्रेट का जाली स्थिरांक दोषों और तनावों को कम करने के लिए विकसित की जाने वाली एपिटैक्सियल परत से मेल खाता है। उदाहरण के लिए, 4H-SiC और 6H-SiC में अलग-अलग जाली स्थिरांक होते हैं, जो उनकी एपिटैक्सियल परत की गुणवत्ता और डिवाइस के प्रदर्शन को प्रभावित करते हैं।
स्टैकिंग अनुक्रम
SiC 1:1 के अनुपात में सिलिकॉन परमाणुओं और कार्बन परमाणुओं से बना है, लेकिन परमाणु परतों की व्यवस्था अलग है, जो एक अलग क्रिस्टल संरचना बनाएगी। सामान्य क्रिस्टल रूप 3C-SiC (घन संरचना), 4H-SiC (हेक्सागोनल संरचना), 6H-SiC (हेक्सागोनल संरचना) हैं, और संबंधित स्टैकिंग क्रम है: ABC, ABCB, ABCACB, आदि। इलेक्ट्रॉनिक और भौतिक गुण प्रत्येक क्रिस्टल का प्रकार अलग-अलग होता है, इसलिए किसी विशेष अनुप्रयोग के लिए सही प्रकार का चयन करना महत्वपूर्ण है।
मोहस कठोरता
सब्सट्रेट की कठोरता निर्धारित करें, कठोरता मशीनिंग कठिनाई और पहनने के प्रतिरोध की डिग्री को प्रभावित करती है। सिलिकॉन कार्बाइड में बहुत अधिक मोह कठोरता होती है, आमतौर पर 9-9.5 के बीच, जो इसे उन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त एक बहुत ही कठोर सामग्री बनाती है जिनके लिए उच्च पहनने के प्रतिरोध की आवश्यकता होती है।
घनत्व
सब्सट्रेट की यांत्रिक शक्ति और तापीय गुण प्रभावित होते हैं। उच्च घनत्व का मतलब आमतौर पर बेहतर यांत्रिक शक्ति और तापीय चालकता होता है।
थर्मल विस्तार गुणांक
तापमान में एक डिग्री सेल्सियस की वृद्धि होने पर मूल लंबाई या आयतन के सापेक्ष सब्सट्रेट की लंबाई या आयतन में वृद्धि के अनुपात को संदर्भित करता है। तापमान परिवर्तन के तहत सब्सट्रेट और एपिटैक्सियल परत का संयोजन डिवाइस की थर्मल स्थिरता को प्रभावित करता है।
अपवर्तन सूचकांक
ऑप्टिकल अनुप्रयोगों के लिए, अपवर्तक सूचकांक ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के डिजाइन में एक प्रमुख पैरामीटर है। अपवर्तक सूचकांक में अंतर सामग्री के माध्यम से प्रकाश तरंगों की गति और पथ को प्रभावित करता है।
पारद्युतिक स्थिरांक
डिवाइस की कैपेसिटिव विशेषताएँ प्रभावित होती हैं। निम्न ढांकता हुआ स्थिरांक परजीवी समाई को कम करने और डिवाइस के प्रदर्शन में सुधार करने में मदद करता है।
ऊष्मीय चालकता
उच्च शक्ति और उच्च तापमान अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण, जो डिवाइस की शीतलन दक्षता को प्रभावित करता है। सिलिकॉन कार्बाइड की उच्च तापीय चालकता इसे उच्च-शक्ति इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए आदर्श बनाती है, क्योंकि यह डिवाइस से गर्मी को कुशलतापूर्वक दूर ले जाती है।
ऊर्जा अंतराल
अर्धचालक सामग्री के वैलेंस बैंड के शीर्ष और चालन बैंड के निचले भाग के बीच ऊर्जा का अंतर। वाइड-बैंड गैप सामग्रियों को इलेक्ट्रॉनिक संक्रमण को उत्तेजित करने के लिए उच्च ऊर्जा की आवश्यकता होती है, जिससे सिलिकॉन कार्बाइड उच्च तापमान और उच्च विकिरण वातावरण में अच्छा प्रदर्शन करता है।
ब्रेक-डाउन विद्युत क्षेत्र
वह सीमा वोल्टेज जिसे अर्धचालक सामग्री झेल सकती है। सिलिकॉन कार्बाइड में बहुत अधिक विघटनकारी विद्युत क्षेत्र होता है, जो इसे बिना टूटे अत्यधिक उच्च वोल्टेज का सामना करने में सक्षम बनाता है।
संतृप्ति बहाव वेग
अधिकतम औसत गति जो एक वाहक अर्धचालक सामग्री पर विद्युत क्षेत्र लागू करके प्राप्त कर सकता है। जब विद्युत क्षेत्र की तीव्रता एक निश्चित सीमा तक बढ़ जाती है, तो विद्युत क्षेत्र की और वृद्धि के साथ वाहक गति में वृद्धि नहीं होगी, और इस समय की गति को संतृप्ति बहाव वेग कहा जाता है। सिलिकॉन कार्बाइड में उच्च संतृप्ति बहाव गति होती है, जो उच्च गति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की प्राप्ति के लिए अनुकूल है। साथ में, ये पैरामीटर विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में, विशेष रूप से उच्च-शक्ति, उच्च-आवृत्ति और उच्च-तापमान वातावरण में सिलिकॉन कार्बाइड शीट के प्रदर्शन और उपयुक्तता को निर्धारित करते हैं।
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