Leave Your Message
Apa parameter penting dari SiC?

Berita

Apa parameter penting dari SiC?

23-07-2024

Silikon karbida (SiC) adalah bahan semikonduktor celah pita lebar yang penting, yang banyak digunakan pada perangkat elektronik berdaya tinggi dan frekuensi tinggi. Berikut ini adalah beberapa parameter utama lembaran silikon karbida dan penjelasan detailnya:

 
Tangkapan layar WeChat_20240720165231.png
 

Parameter Kisi

Pastikan konstanta kisi substrat sesuai dengan lapisan epitaksi yang akan ditumbuhkan untuk mengurangi cacat dan tekanan. Misalnya, 4H-SiC dan 6H-SiC memiliki konstanta kisi yang berbeda, yang memengaruhi kualitas lapisan epitaksi dan kinerja perangkat.

 

Urutan Penumpukan

SiC tersusun dari atom silikon dan atom karbon dengan perbandingan 1:1, namun susunan lapisan atomnya berbeda sehingga akan membentuk struktur kristal yang berbeda. Bentuk kristal yang umum adalah 3C-SiC (struktur kubik), 4H-SiC (struktur heksagonal), 6H-SiC (struktur heksagonal), dan urutan susunannya adalah: ABC, ABCB, ABCACB, dll. Sifat elektronik dan fisik dari setiap jenis kristal berbeda, jadi memilih yang tepat sangatlah penting untuk aplikasi tertentu.

 

Kekerasan Mohs

Tentukan kekerasan substrat, kekerasan mempengaruhi tingkat kesulitan pemesinan dan ketahanan aus. Silikon karbida memiliki kekerasan Mohs yang sangat tinggi, biasanya antara 9-9,5, menjadikannya bahan yang sangat keras dan cocok untuk aplikasi yang memerlukan ketahanan aus yang tinggi.

 

Kepadatan

Kekuatan mekanik dan sifat termal substrat terpengaruh. Kepadatan tinggi biasanya berarti kekuatan mekanik dan konduktivitas panas yang lebih baik.

 

Koefisien Ekspansi Termal

Mengacu pada proporsi pertambahan panjang atau volume substrat relatif terhadap panjang atau volume aslinya ketika suhu dinaikkan sebesar satu derajat Celcius. Kombinasi substrat dan lapisan epitaksi di bawah perubahan suhu mempengaruhi stabilitas termal perangkat.

 

Indeks Refraksi

Untuk aplikasi optik, indeks bias merupakan parameter kunci dalam desain perangkat optoelektronik. Perbedaan indeks bias mempengaruhi kecepatan dan jalur gelombang cahaya melalui material.

 

Konstanta Dielektrik

Karakteristik kapasitif perangkat terpengaruh. Konstanta dielektrik yang lebih rendah membantu mengurangi kapasitansi parasit dan meningkatkan kinerja perangkat.

 

Konduktivitas termal

Penting untuk aplikasi daya tinggi dan suhu tinggi, yang memengaruhi efisiensi pendinginan perangkat. Konduktivitas termal silikon karbida yang tinggi membuatnya ideal untuk perangkat elektronik berdaya tinggi, karena secara efisien menghantarkan panas dari perangkat.

 

Celah pita

Perbedaan energi antara bagian atas pita valensi dan bagian bawah pita konduksi suatu bahan semikonduktor. Bahan celah pita lebar memerlukan energi yang lebih tinggi untuk merangsang transisi elektronik, yang membuat silikon karbida bekerja dengan baik di lingkungan bersuhu tinggi dan radiasi tinggi.

 

Medan Listrik Rusak

Batas tegangan yang dapat ditahan oleh bahan semikonduktor. Silikon karbida memiliki gangguan medan listrik yang sangat tinggi, sehingga memungkinkannya menahan tegangan yang sangat tinggi tanpa gangguan.

 

Kecepatan Melayang Saturasi

Kecepatan rata-rata maksimum yang dapat dicapai oleh pembawa dengan menerapkan medan listrik pada bahan semikonduktor. Ketika intensitas medan listrik meningkat sampai batas tertentu, kecepatan pembawa tidak akan bertambah lagi seiring dengan semakin meningkatnya medan listrik, dan kecepatan saat ini disebut kecepatan penyimpangan saturasi. Silikon karbida memiliki kecepatan penyimpangan saturasi yang tinggi, yang kondusif untuk realisasi perangkat elektronik berkecepatan tinggi. Bersama-sama, parameter ini menentukan kinerja dan kesesuaian lembaran silikon karbida dalam berbagai aplikasi, terutama di lingkungan berdaya tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi.

 

Fountyl Technologies Pte Ltd., berfokus dengan 20 tahun pengalaman industri semikonduktor dalam pembuatan suku cadang keramik canggih di Singapura, produk utamanya adalah meja chuck berpori (chuck keramik mikropori, chuck keramik berpori, chuck vakum berpori, meja chuck vakum keramik berpori, berpori chuck vakum keramik) yang terbuat dari berbagai jenis bahan keramik (alumina, zirkonia, silikon karbida, silikon nitrida, aluminium nitrida, dan keramik berpori), kontrol independen penuh terhadap sintering bahan keramik, pemrosesan presisi, pengujian, dan pembersihan presisi, dengan jaminan pengiriman waktu. Produk diekspor ke Amerika Serikat, Eropa dan Asia Tenggara, lebih dari 20 negara dan wilayah.