炭化ケイ素 (SiC) は、その広いバンドギャップ、高い機械的強度、高い耐熱性により、エレクトロニクス産業においてシリコン (Si) ベースの半導体の代替材料と考えられています。
一般の印象では、ウェーハは薄くて丸い高純度シリコンウェーハであり、この高純度シリコンウェーハを処理してさまざまな回路コンポーネント構造を製造できます。
