ウェーハの製造プロセスでは、ウェーハを一定の温度に加熱する必要があり、ウェーハの温度が均一であるため、ウェーハの温度均一性には非常に厳しい要件があります。
水素ベースのプラズマに切り替えることで、GaN 基板の高速エッチングが保証され、日本の大阪大学の技術者らは、窒化ガリウム (GaN...