시스템 수요의 증가하고 다양화되는 추세에 부응하기 위해 웨이퍼 레벨 패키징 기술은 고밀도, 초박형, 초소형, 고용량화 방향을 끊임없이 돌파하고 있습니다.
탄화규소(SiC)는 넓은 밴드갭, 높은 기계적 강도, 높은 열전도성으로 인해 전자 산업에서 실리콘(Si) 기반 반도체의 대체 재료로 간주됩니다.
