수소 기반 플라즈마로 전환하면 GaN 기판의 고속 에칭이 보장되며, 일본 오사카 대학의 엔지니어들은 질화갈륨(GaN)을 얇게 만드는 데 새로운 돌파구를 마련했다고 주장합니다.
이번 AI 반도체 신기술의 성공적인 개발과 적용은 AI의 효율성과 정확성을 향상시킬 수 있는 큰 잠재력을 보여준다”고 말했다.
