수소 기반 플라즈마로 전환하면 GaN 기판의 고속 에칭이 보장되며, 일본 오사카 대학의 엔지니어들은 질화갈륨(GaN)을 얇게 만드는 데 새로운 돌파구를 마련했다고 주장합니다.
최근 몇 년간 전 세계적으로 웨이퍼 수급이 불균형해 200mm 웨이퍼 부족 사태가 수년간 계속될 전망이다.
