수소 기반 플라즈마로 전환하면 GaN 기판의 고속 에칭이 보장되며, 일본 오사카 대학의 엔지니어들은 질화갈륨(GaN)을 얇게 만드는 데 새로운 돌파구를 마련했다고 주장합니다.
EUV의 장점 중 하나는 칩 처리 단계가 단축된다는 점인데, 기존 다중 노출 기술 대신 EUV를 사용하면 증착, 식각, 공정 단계가 크게 단축됩니다.
