Parçeyek avahîsaziya karbîdê silicon aluminium-ê ku ji bo hewavanî, hewavanî, keştiyên deryayî, rêwîtiya hesinî, qada wesayîtên enerjiya nû tê bikar anîn.
Berhevdana taybetmendiyên AISIC bi materyalên kevneşopî yên metal û seramîk:
alloy aluminium (7050) | alloy titanium (TC4) | pola zengarnegir (SUS304) | SIC | Alumina | AISiC | |
Density (g/cm3) | 2.8 | 4.5 | 7.9 | 3.2 | 3.97 | 2.8-3.2 |
Hêza dirêjkirinê (MPa) | ≥496 | ≥985 | ≥520 | - | - | 270-450 |
Modula Elasticity (Gpa) | 69 | 110 | 210 | 330 | 300 | 160-280 |
Hêza bendkirinê (Mpa) | - | - | - | 350-600 | 290 | 230-450 |
Rêjeya berfirehbûna xêzikî (×10/℃) | bîst û çar | 8.6 | 17.3 | 4.5 | 7.2 | 4,5-16 |
Germbûna germê (W/m·K) | 154-180 | 8 | 15 | 126 | 20 | 163-255 |
Materyalên pêkhatî yên karbîd silicon aluminium-ê laşê navîn û bilind ku me li ser amadekirina xebitandina celebê nû ya bêyî qonaxek navbeynê pejirand, ku bi bandor ji kêmasiyên ziravbûna materyalên pêkhatî yên metal seramîk dûr disekine, û performansa pêvajoyê û rêza serîlêdana materyalan pir çêtir dike.
1. Aluminum silicon carbide - parçeyên avahiyê
Parçeyên avahîsaziyê yên rast-hêza bilind - bi taybetmendiyên sivik, hişkiya bilind, aramiya pîvanê, berxwedana liberxwedanê û berxwedana korozyonê, li şûna alloyek aluminium, pola zengarnegir, alema titanium, ku di perçeyên avahîsaziyê yên rast-bilind, berxwedêr ên berxwedêr ên bi daxwazên berevajî de têne bikar anîn. .
Density (g/cm3) | Hêza bendkirinê (MPa) | Modula elasticîteyê (GPa) | Rêjeya dirêjbûnê (%) | Rêjeya şilkirinê (ζ,%) | Germiya germê(W/m·K)@25℃ | Rêjeya berfirehbûna xêzik (×10/℃) 25-200℃ | |
S45 SiC / AI | 2.925 | 298 | 172 | 1.2 | 0.42 | 203 | 11.51 |
S50 SiC / AI | 2.948 | 335 | 185 | / | 0.52 | 207 | 10.42 |
S55 SiC / AI | 2.974 | 405 | 215 | / | 0.66 | 210 | 9.29 |
S60 SiC / AI | 2.998 | 352 | 230 | / | 0.7 | 215 | 8.86 |
2. Aluminum silicon carbide - beşa belavkirina germê
Substrate / şêlê sarbûna mîkroelektronîkî: karbîd silicon aluminum wekî nifşa sêyemîn a malzemeyên pakkirina elektronîkî ji ber taybetmendiyên xwe yên laşî yên germî yên jêhatî tê zanîn, û bi berfirehî di warê pakkirina elektronîkî de tê bikar anîn (nifşa yekem wekî aluminium, sifir; Nifşa duyemîn wekî wek Kewa, sifir molîbden, bafir tungsten...hwd).
Density (g/cm) | Hêza bendkirinê (MPa) | Modula elasticîteyê (GPa) | Germbûna germê (W/m·K) @25℃ | Rêjeya berfirehbûna xêzik (×10°/℃) 25-200°℃ | |
T60SIC / AI | 2.998 | 260 | 229 | 220 | 8.64 |
T65SIC / AI | 3.018 | 255 | 243 | 236 | 7.53 |
T70SIC / AI | 3.05 | 251 | 258 | 217 | 6.8 |
T75SIC / AI | 3.068 | 257 | 285 | 226 | 5.98 |
Feydeyên hilberan: Germbûna germî ya bilind, sêwirana cihêreng a fonksiyona rûkalê, Rêjeya berbelavbûna germî ya nizm (wek hevahenga berbelavbûna germî ya materyalê çîpê) Poroziya welding kêm.
Pîlana bingehîn a pakêtê IGBT: Rêwîtiya germî ya karbîda siliconê aluminiumê hejmûna berbelavbûna germî ya bilind û nizm e (hevbera berfirehbûna termal dişibihe materyalê çîpê), bi bandor îhtîmala şikestina dora pakêtê kêm dike, jiyana karûbarê hilberê baştir dike. Di trêna bilez de, wesayîtên enerjiya nû, radar, hilberîna hêza bayê de ku li şûna aluminium, sifir, tungsten sifir, sifir molîbden, beryllium, seramîk û malzemeyên din ên pakkirinê yên mîkroelektronîkî biguhezînin.
Materials | Density (g/cm*) | Rêjeya berfirehbûna xêzikî (x 10°/ ° C) | Germbûna germê (W/m·K) | Zehmetiya taybetî (Gpa cm / g) |
AISIC | 2.8-3.2 | 4,5-16 | 163-255 | 76-108 |
Bi | 8.9 | 17 | 393 | 5 |
AI (6061) | 2.7 | bîst û sê | 171 | 25 |
Kovar | 8.3 | 5.9 | 14 | 16 |
Invar | 8.1 | 1.6 | 11 | 14 |
Cu/Mo(15/85) | 10 | 7 | 160 | 28 |
Cu/W(15/85) | 17 | 7.2 | 190 | 16 |