Xane
Hilbera sereke
Cûka pinê ya waferê ku ji bo amûra rûxandina nîvconductor û cîhaza vekolîna wafer tê bikar anîn
Features
Berxwedana germahiya bilind:Materyalên seramîk ên silicon carbide û alumina xwedan performansa germahiya bilind a hêja ne, dikarin di hawîrdora germahiya bilind de ji bo demek dirêj ve werin bikar anîn, ji bo deformasyon an şikestin ne hêsan e.
Berxwedana korozyonê:dikare li hember cûrbecûr korozyona kîmyewî bisekinin, ji bo hilgirtina şilavên koroz an gazên di hawîrdora xebatê de maqûl e.
Berxwedana lixwekirinê:serhişkiya bilind, bi berxwedana lixwekirina baş, dikare ji bo demek dirêj bêyî têkçûn were bikar anîn.
Adsorbasyona xurt:strûktûra nuqteya konveks qada pêwendiyê ya kasa şûştinê kêm dike, bi vî rengî hêza adsorpsiyonê li ser yekîneya deverê zêde dike, û dikare bi zexmtir perçeya xebatê bişewitîne.
Stabiliya bilind:Ji ber taybetmendiyên materyalê, çuçika pinê ya wafer xwedan îstîqrara bilind e û dikare ji bo demek dirêj bi îstîqrar bixebite.
Kêmkirina qirêjiyê:Kûçikên waferê yên seramîk ji zozanan ber bi piniyan ve diçin da ku qada pêwendiyê kêm bikin, hin qirêjiyê kêm bikin û sererastkirina guheztinê baştir bikin.
Kontrola pêvajoyê
Rastiya bilind: Dirêjahiya 12 înç, şilbûn di nav 5 μm de tê kontrol kirin; Heke hûn hewceyê bêtir rastdariyê hewce ne, ji kerema xwe ji me re bi e-nameyê re bişînin.
Kontrolkirina şeklê: Şêweyê çukê li gorî şiklê waferê eyar bikin (kontrola ne-yekhev).
Bersivdariya absorptive: Sêwirana xwerû li gorî taybetmendiyan.
Xizmetên me
Hilbijartina çîpek waferê pêdivî ye ku li gorî gelek faktoran wekî pîvana pêdivî ya kelûpelan, hejmara xalên konveks, û şeklê çok were hesibandin, û li gorî mezinahî, giraniya adsorpsiyonê hilbijartinek maqûl were kirin. obje û pêdiviyên jîngeha xebatê.
Me teknolojiya makînasyona daîre ya rast pejirand, sêwirana afirîner ji bo xwerû bicîh tîne, û çuka pincarê ya çêtirîn peyda dike da ku daxwazên hişk ên xerîdar bicîh bîne.
Şêweya davî ya pin chuck dikare bi serbestî li gorî şiklê waferê were guheztin, û qada adsorption an şêwaza pin dikare were xweş kirin da ku berteka adsorption baştir bike.
Materyal: Seramîk an karbîd silicon oksîdê aluminium dikare were hilbijartin, û DLC û Teflon dikare li ser rûyê erdê were rijandin.
Çokên pêlên wafer ên SiC/SSiC yên pêbawer ên ji bo vehesandina wafer, vekolîn, pêvajoyên veguheztinê yên ku pir maqûl in, pir guncan in, û ji hawîrdorên xebatê yên dijwar re zehf berxwedêr têne pêşve xistin.
Daneyên Testa Rastiyê
Bikaranînî
Fikskirina waferê ya amûra nîşankirina nîvconductor; Rastkirina waferê ya cîhaza vekolîna waferê.