Aluminum silisiôma carbide structrual ampahany ampiasaina amin'ny fiaramanidina, aerospace, sambo an-dranomasina, lalamby fitaterana, angovo vaovao saha fiara.
Fampitahana ny fananan'ny AISIC amin'ny fitaovana metaly sy seramika nentim-paharazana:
aluminium firaka (7050) | titane firaka (TC4) | Stainless stee (SUS304) | sento | alumina | AISiC | |
Hateza (g/cm3) | 2.8 | 4.5 | 7.9 | 3.2 | 3.97 | 2.8-3.2 |
Herin'ny fanitarana (MPa) | ≥496 | ≥985 | ≥520 | - | - | 270-450 |
Modulus elasticité (Gpa) | 69 | 110 | 210 | 330 | 300 | 160-280 |
Hery miforitra (Mpa) | - | - | - | 350-600 | 290 | 230-450 |
Coefficient ny fanitarana linear (× 10 / ℃) | efatra amby roapolo | 8.6 | 17.3 | 4.5 | 7.2 | 4.5-16 |
Conductivity mafana (W/m·K) | 154-180 | 8 | 15 | 126 | 20 | 163-255 |
Ny antonony sy avo vatana aluminium silisiôma carbide mitambatra fitaovana nolanianay amin'ny karazana asa vaovao fanomanana tsy misy interface tsara dingana, izay mahomby misoroka ny lesoka ny brittleness ny metaly seramika mitambatra fitaovana, ary tena manatsara ny fanodinana sy ny fampiharana isan-karazany ny fitaovana.
1. Aluminum silisiôma carbide - ampahany ara-drafitra
Ampahany ara-drafitra avo lenta avo lenta - miaraka amin'ny toetran'ny maivana, henjana avo, fitoniana amin'ny refy, fanoherana ny fanoherana ary ny fanoherana ny harafesina, fa tsy ny firaka aluminium, ny vy tsy misy pentina, ny firaka titane, ampiasaina amin'ny ampahany ara-drafitra avo lenta sy mahatohitra miaraka amin'ny fepetra takiana. .
Hateza (g/cm3) | Hery miondrika (MPa) | Modulus ny elasticité (GPa) | Ny tahan'ny elongation (%) | Taham-pitsapana (ζ,%) | Conductivity mafana (W/m·K) @25 ℃ | Coefficient ny fanitarana linear (× 10 / ℃) 25-200 ℃ | |
S45 SiC/AI | 2.925 | 298 | 172 | 1.2 | 0.42 | 203 | 11.51 |
S50 SiC/AI | 2.948 | 335 | 185 | / | 0.52 | 207 | 10.42 |
S55 SiC/AI | 2.974 | 405 | 215 | / | 0.66 | 210 | 9.29 |
S60 SiC/AI | 2.998 | 352 | 230 | / | 0.7 | 215 | 8.86 |
2. Aluminum silisiôma carbide - ampahany fanaparitahana hafanana
Microelectronic cooling substrate / shell: aluminium silisiôma carbide dia fantatra amin'ny anarana hoe taranaka fahatelo amin'ny fitaovana fonosana elektronika noho ny fananany ara-batana mafana, ary ampiasaina betsaka amin'ny sehatry ny fonosana elektronika (taranaka voalohany toy ny alimo, varahina; Ny taranaka faharoa toy izany. toy ny Kewa, varahina molybdène, varahina tungstène firaka....etc).
Hateza (g/cm) | Hery miondrika (MPa) | Modulus ny elasticité (GPa) | Conductivity mafana (W/m·K) @25 ℃ | Coefficient ny fanitarana linear (× 10 ° / ℃) 25-200 ° ℃ | |
T60SIC/AI | 2.998 | 260 | 229 | 220 | 8.64 |
T65SIC/AI | 3.018 | 255 | 243 | 236 | 7.53 |
T70SIC/AI | 3.05 | 251 | 258 | 217 | 6.8 |
T75SIC/AI | 3.068 | 257 | 285 | 226 | 5.98 |
Tombontsoa vokatra: High conductivity mafana, asa ambonin'ny endrika isan-karazany, Low thermal fanitarana coefficient (mitovy amin'ny mafana fanitarana coefficient ny fitaovana chip) Low welding porosity.
IGBT fonosana lovia fototra: Ny conductivity mafana ny aluminium silisiôma carbide dia avo sy ambany hafanana fanitarana coefficient (thermal fanitarana coefficient dia mitovy amin'ny fitaovana Chip), mahomby mampihena ny mety hisian'ny fonosana faritra famoretana, hanatsara ny asa fanompoana ny vokatra. Amin'ny fiarandalamby haingam-pandeha, fiara vaovao angovo, radara, famokarana herinaratra ho solon'ny alimo, varahina, tungstène varahina, molybdène varahina, beryllium, seramika ary fitaovana famonosana microelectronics hafa.
Akora | Hateza (g/cm*) | Coefficient ny fanitarana tsipika (x 10 ° / ° C) | Conductivity mafana (W/m·K) | Hamafisina manokana (Gpa cm/g) |
AISIC | 2.8-3.2 | 4.5-16 | 163-255 | 76-108 |
amin'ny | 8.9 | 17 | 393 | 5 |
AI (6061) | 2.7 | telo amby roapolo | 171 | 25 |
Journal | 8.3 | 5.9 | 14 | 16 |
Invar | 8.1 | 1.6 | 11 | 14 |
Cu/Mo(15/85) | 10 | 7 | 160 | 28 |
Cu/W(15/85) | 17 | 7.2 | 190 | 16 |