Ведущие производители керамических поршней — высококачественные и долговечные поршни

Сопутствующие товары

Патрон с кольцевой канавкой широко используется в оборудовании для производства полупроводников для поглощения, фиксации, перемещения и обработки кремниевых пластин, пластин и различных заготовок и материалов.

Керамический концевой эффектор (керамический палец, керамический манипулятор робота)

Микропористый керамический вакуумный патрон

Плавающая платформа на пористом воздухе с технологией передачи нагрузки бесконтактным способом для полупроводниковой промышленности

Керамика из глинозема с превосходной стойкостью к плазменной коррозии и высокой износостойкостью.

Карбид кремния используется для изготовления коррозионностойких деталей, деталей уплотнений, деталей, устойчивых к высоким температурам, направляющих и квадратных балок.

Пористая керамика с высокой термостойкостью, высокой прочностью и хорошей химической стабильностью.

Самые продаваемые продукты

Зажимной патрон для пластин, используемый для устройства экспонирования полупроводников и устройства для проверки пластин.

Керамика из нитрида кремния с превосходными физическими, химическими и механическими свойствами.

Керамика из карбида алюминия и кремния, используемая в аэрокосмической, автомобильной, военной, электронной, спортивной отраслях.

Керамика из нитрида алюминия, используемая для теплорассеивающих деталей и деталей, устойчивых к коррозии.

Керамика из оксида бериллия с высокой теплопроводностью и низкими характеристиками потерь.

Керамические детали из оксида бериллия, используемые в автомобилях, полупроводниках и больших интегральных схемах.

Связанный блог

Ключевые моменты и характеристики вакуумного патрона из микропористой керамики.

Мы разработали новую пористую керамику, размер пор которой может составлять от менее 1 микрона до сотен микрон. Воздух вытягивается через крошечные поры, и обрабатываемый материал очищается...

В чем разница между подложкой и эпитаксией?

В цепочке полупроводниковой промышленности, особенно в промышленной цепочке полупроводников третьего поколения (полупроводников с широкой запрещенной зоной), будет подложка и эпитаксиальный слой, что является значи...

Связанный поиск

Leave Your Message