Strukturni del iz aluminijevega silicijevega karbida, ki se uporablja v letalstvu, vesolju, pomorskih ladjah, železniškem tranzitu, področju novih energetskih vozil
Primerjava lastnosti AISIC s tradicionalnimi kovinskimi in keramičnimi materiali:
aluminijeva zlitina (7050) | titanova zlitina (TC4) | nerjavno jeklo (SUS304) | SIC | Aluminijev oksid | AISiC | |
Gostota(g/cm3) | 2.8 | 4.5 | 7.9 | 3.2 | 3,97 | 2,8-3,2 |
Raztezna trdnost(MPa) | ≥496 | ≥985 | ≥520 | - | - | 270-450 |
Modul elastičnosti(Gpa) | 69 | 110 | 210 | 330 | 300 | 160-280 |
Upogibna trdnost(Mpa) | - | - | - | 350-600 | 290 | 230-450 |
Koeficient linearne ekspanzije (×10/℃) | štiriindvajset | 8.6 | 17.3 | 4.5 | 7.2 | 4,5-16 |
Toplotna prevodnost (W/m·K) | 154-180 | 8 | 15 | 126 | 20 | 163-255 |
Kompozitni materiali iz aluminijevega silicijevega karbida s srednjim in visokim telesom, ki smo jih sprejeli pri pripravi novega tipa izdelave brez faze vmesne ploskve, ki se učinkovito izogne pomanjkljivostim krhkosti kovinsko-keramičnih kompozitnih materialov in močno izboljša zmogljivost obdelave in obseg uporabe materialov.
1. Aluminijev silicijev karbid - strukturni deli
Visoko trdni natančni strukturni deli - z značilnostmi lahke, visoke togosti, dimenzijske stabilnosti, odpornosti proti obrabi in odpornosti proti koroziji, namesto aluminijeve zlitine, nerjavečega jekla, titanove zlitine, ki se uporabljajo v visoko natančnih strukturnih delih, odpornih proti obrabi, z zahtevami protiuteži .
Gostota(g/cm3) | Upogibna trdnost (MPa) | Modul elastičnosti (GPa) | Stopnja raztezka(%) | Razmerje dušenja (ζ,%) | Toplotna prevodnost (W/m·K) pri 25 ℃ | Koeficient linearne ekspanzije (×10/℃) 25-200℃ | |
S45 SiC/AI | 2,925 | 298 | 172 | 1.2 | 0,42 | 203 | 11.51 |
S50 SiC/AI | 2,948 | 335 | 185 | / | 0,52 | 207 | 10.42 |
S55 SiC/AI | 2,974 | 405 | 215 | / | 0,66 | 210 | 9.29 |
S60 SiC/AI | 2,998 | 352 | 230 | / | 0,7 | 215 | 8.86 |
2. Aluminijev silicijev karbid - del za odvajanje toplote
Mikroelektronski hladilni substrat/lupina: aluminijev silicijev karbid je znan kot tretja generacija elektronskih embalažnih materialov zaradi svojih vrhunskih toplotnofizikalnih lastnosti in se pogosto uporablja na področju elektronske embalaže (prva generacija, kot je aluminij, baker; druga generacija, npr. kot je Kewa, bakrov molibden, bakrova volframova zlitina ... itd.).
Gostota (g/cm) | Upogibna trdnost (MPa) | Modul elastičnosti (GPa) | Toplotna prevodnost (W/m·K) pri 25 ℃ | Koeficient linearne ekspanzije (×10°/℃) 25-200°℃ | |
T60SIC/AI | 2,998 | 260 | 229 | 220 | 8.64 |
T65SIC/AI | 3,018 | 255 | 243 | 236 | 7.53 |
T70SIC/AI | 3.05 | 251 | 258 | 217 | 6.8 |
T75SIC/AI | 3,068 | 257 | 285 | 226 | 5,98 |
Prednosti izdelka: visoka toplotna prevodnost, raznolika zasnova površinskih funkcij, nizek koeficient toplotnega raztezanja (podoben koeficientu toplotnega raztezanja materiala čipa) nizka varilna poroznost.
Osnovna plošča ohišja IGBT: Toplotna prevodnost aluminijevega silicijevega karbida je visoka, koeficient toplotnega raztezanja pa nizek (koeficient toplotnega raztezanja je podoben materialu čipa), učinkovito zmanjša verjetnost pokanja vezja ohišja in izboljša življenjsko dobo izdelka. Pri železnicah za visoke hitrosti, novih energetskih vozilih, radarjih, proizvodnji vetrne energije za zamenjavo aluminija, bakra, bakra iz volframa, bakra iz molibdena, berilija, keramike in drugih mikroelektronskih embalažnih materialov.
Materiali | Gostota (g/cm*) | Koeficient linearne ekspanzije (x 10 °/ ° C) | Toplotna prevodnost (W/m·K) | Specifična togost (Gpa cm/g) |
AISIC | 2,8-3,2 | 4,5-16 | 163-255 | 76-108 |
z | 8.9 | 17 | 393 | 5 |
AI (6061) | 2.7 | triindvajset | 171 | 25 |
Dnevnik | 8.3 | 5.9 | 14 | 16 |
Invar | 8.1 | 1.6 | 11 | 14 |
Cu/Mo (15/85) | 10 | 7 | 160 | 28 |
Cu/W (15/85) | 17 | 7.2 | 190 | 16 |