Sehemu ya muundo wa silicon ya aluminium inayotumika kwa anga, anga, meli za baharini, usafiri wa reli, uwanja wa magari mapya ya nishati.
Ulinganisho wa mali ya AISIC na vifaa vya jadi vya chuma na kauri:
aloi ya alumini (7050) | aloi ya titani (TC4) | chuma cha pua (SUS304) | SIC | Alumina | AISiC | |
Uzito (g/cm3) | 2.8 | 4.5 | 7.9 | 3.2 | 3.97 | 2.8-3.2 |
Nguvu ya ugani (MPa) | ≥496 | ≥985 | ≥520 | - | - | 270-450 |
Moduli ya msisimko (Gpa) | 69 | 110 | 210 | 330 | 300 | 160-280 |
Nguvu ya kupinda (Mpa) | - | - | - | 350-600 | 290 | 230-450 |
Mgawo wa upanuzi wa mstari(×10/℃) | ishirini na nne | 8.6 | 17.3 | 4.5 | 7.2 | 4.5-16 |
Uendeshaji wa joto (W/m·K) | 154-180 | 8 | 15 | 126 | 20 | 163-255 |
Nyenzo za muundo wa alumini ya silicon ya CARBIDE ya mwili wa kati na ya juu tuliyopitisha kwenye utayarishaji wa kazi ya aina mpya isiyo na kiolesura cha awamu, ambayo huepuka kwa ufanisi mapungufu ya ugumu wa nyenzo za mchanganyiko wa kauri za chuma, na inaboresha sana utendakazi wa usindikaji na anuwai ya matumizi ya nyenzo.
1. Alumini silicon carbudi - sehemu za kimuundo
Sehemu za miundo za usahihi wa hali ya juu - zenye sifa za uzani mwepesi, ugumu wa juu, uthabiti wa sura, upinzani wa kuvaa na upinzani wa kutu, badala ya aloi ya alumini, chuma cha pua, aloi ya titani, inayotumika kwa usahihi wa hali ya juu, sehemu za miundo zinazostahimili kuvaa na mahitaji ya uzani. .
Uzito (g/cm3) | Nguvu ya kupinda (MPa) | Moduli ya elasticity (GPA) | Kiwango cha urefu (%) | Uwiano wa Damping(ζ,%) | Ubadilishaji joto (W/m·K)@25℃ | Mgawo wa upanuzi wa mstari(×10/℃) 25-200℃ | |
S45 SiC/AI | 2.925 | 298 | 172 | 1.2 | 0.42 | 203 | 11.51 |
S50 SiC/AI | 2.948 | 335 | 185 | / | 0.52 | 207 | 10.42 |
S55 SiC/AI | 2.974 | 405 | 215 | / | 0.66 | 210 | 9.29 |
S60 SiC/AI | 2.998 | 352 | 230 | / | 0.7 | 215 | 8.86 |
2. Alumini silicon carbudi - sehemu ya kusambaza joto
Sehemu ndogo ya kupoeza ya kielektroniki: carbudi ya silicon ya alumini inajulikana kama kizazi cha tatu cha vifaa vya ufungaji vya elektroniki kwa mali yake ya hali ya juu ya joto, na hutumiwa sana katika uwanja wa ufungaji wa elektroniki (kizazi cha kwanza kama vile alumini, shaba; kizazi cha pili kama hicho. kama Kewa, molybdenum ya shaba, aloi ya tungsten ya shaba .... nk).
Uzito (g/cm) | Nguvu ya kupinda (MPa) | Moduli ya elasticity (GPA) | Ubadilishaji joto (W/m·K) @25℃ | Mgawo wa upanuzi wa mstari(×10°/℃) 25-200°℃ | |
T60SIC/AI | 2.998 | 260 | 229 | 220 | 8.64 |
T65SIC/AI | 3.018 | 255 | 243 | 236 | 7.53 |
T70SIC/AI | 3.05 | 251 | 258 | 217 | 6.8 |
T75SIC/AI | 3.068 | 257 | 285 | 226 | 5.98 |
Faida za bidhaa: Uendeshaji wa juu wa mafuta, muundo wa utendakazi wa mseto, mgawo wa upanuzi wa chini wa mafuta (sawa na mgawo wa upanuzi wa joto wa nyenzo za chip) Porosity ya chini ya kulehemu.
Sahani ya msingi ya kifurushi cha IGBT: conductivity ya mafuta ya CARBIDE ya alumini ni ya juu na ya chini ya upanuzi wa mgawo wa mafuta (mgawo wa upanuzi wa joto ni sawa na nyenzo za chip), hupunguza kwa ufanisi uwezekano wa kupasuka kwa mzunguko wa kifurushi, kuboresha maisha ya huduma ya bidhaa. Katika reli ya kasi, magari ya nishati mpya, rada, uzalishaji wa umeme wa upepo kuchukua nafasi ya alumini, shaba, tungsten ya shaba, molybdenum ya shaba, berili, keramik na vifaa vingine vya ufungaji vya microelectronics.
Nyenzo | Uzito (g/cm*) | Mgawo wa upanuzi wa mstari(x 10°/ ° C) | Uendeshaji wa joto (W/m·K) | Ugumu mahususi (Gpa cm/g) |
AISIC | 2.8-3.2 | 4.5-16 | 163-255 | 76-108 |
Na | 8.9 | 17 | 393 | 5 |
AI (6061) | 2.7 | ishirini na tatu | 171 | 25 |
Jarida | 8.3 | 5.9 | 14 | 16 |
Invar | 8.1 | 1.6 | 11 | 14 |
Cu/Mo(15/85) | 10 | 7 | 160 | 28 |
Cu/W(15/85) | 17 | 7.2 | 190 | 16 |