Gofret üretim sürecinde, gofretin belirli bir sıcaklığa kadar ısıtılması gerekir ve gofret sıcaklığının tekdüzeliği çok katı bir gereksinime sahiptir, çünkü gofret sıcaklığının düzgün olması...
Hidrojen bazlı plazmaya geçiş, GaN substratlarının yüksek hızda aşındırılmasını sağlar ve Japonya'daki Osaka Üniversitesi'ndeki mühendisler, galyum nitrürün (GaN) inceltilmesinde yeni bir atılım yaptıklarını iddia ederler.
