היים
הויפּט פּראָדוקט
0102030405
ווייפער שטיפט טשאַק געניצט פֿאַר סעמיקאַנדאַקטער ויסשטעלן מיטל און ווייפער דורכקוק מיטל
איינריכטונגען
הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל:סיליציום קאַרבידע און אַלומאַנאַ סעראַמיק מאַטעריאַלס האָבן ויסגעצייכנט הויך-טעמפּעראַטור פאָרשטעלונג, קענען זיין געניצט אין הויך טעמפּעראַטור סוויווע פֿאַר אַ לאַנג צייַט, נישט גרינג צו דיפאָרמיישאַן אָדער בראָך.
קעראָוזשאַן קעגנשטעל:קענען וויטסטאַנד אַ פאַרשיידנקייַט פון כעמישער קעראָוזשאַן, פּאַסיק פֿאַר האַנדלינג קעראָוסיוו ליקווידס אָדער גאַסאַז אין די אַרבעט סוויווע.
טראָגן קעגנשטעל:הויך כאַרדנאַס, מיט גוט טראָגן קעגנשטעל, קענען זיין געניצט פֿאַר אַ לאַנג צייַט אָן דורכפאַל.
שטאַרק אַדסאָרפּטיאָן:די קאַנוועקס פונט סטרוקטור ראַדוסאַז די קאָנטאַקט געגנט פון די סאַקשאַן גלעזל, דערמיט ינקריסינג די אַדסאָרפּטיאָן קראַפט פּער אַפּאַראַט געגנט, און קענען מער פעסט אַדסאָרב די וואָרקפּיעסע.
הויך פעסטקייַט:רעכט צו די קעראַקטעריסטיקס פון דעם מאַטעריאַל, די ווייפער שטיפט טשאַק האט הויך פעסטקייַט און קענען אַרבעטן סטאַביל פֿאַר אַ לאַנג צייַט.
רעדוצירן פאַרפּעסטיקונג:סעראַמיק ווייפער טשאַקס זענען יוואַלווינג פון גרוווז צו פּינס צו רעדוצירן קאָנטאַקט געגנט, רעדוצירן עטלעכע פאַרפּעסטיקונג און פֿאַרבעסערן וואָרפּינג קערעקשאַן.
פּראָצעס קאָנטראָל
הויך פּינטלעכקייַט: 12 אינטשעס דיאַמעטער, פלאַטנאַס איז קאַנטראָולד ין 5 μם; אויב איר דאַרפֿן מער פּינטלעכקייַט, ביטע בליצפּאָסט אונדז.
פאָרעם קאָנטראָל: סטרויערן די טשאַק פאָרעם לויט די ווייפער פאָרעם (ניט-וניפאָרמאַטי קאָנטראָל).
אַבסאָרפּטיוו ריספּאַנסיוונאַס: קאַסטאַמייזד פּלאַן לויט צו ספּעסאַפאַקיישאַנז.
אונדזער באַדינונגס
די סעלעקציע פון ווייפער שטיפט טשאַק זאָל זיין קאַנסידערד לויט קייפל סיבות אַזאַ ווי די פארלאנגט דיאַמעטער פון די סאַקשאַן טעפּלעך, די נומער פון קאַנוועקס פונקטן און די פאָרעם פון די טשאַק, און מאַכן אַ פּאַסיק ברירה לויט די גרייס, וואָג פון די אַדסאָרפּטיאָן. כייפעץ און די באדערפענישן פון די אַרבעט סוויווע.
מיר האָבן אנגענומען פּינטלעכקייַט פלאַך מאַשינינג טעכנאָלאָגיע, ינסטרומענט שעפעריש פּלאַן פֿאַר מנהג, און צושטעלן די בעסטער ווייפער שטיפט טשאַק צו טרעפן די שטרענג רעקווירעמענץ פון קאַסטאַמערז.
די פלאַך פאָרעם פון די שטיפט טשאַק קענען זיין פרילי אַדזשאַסטיד לויט די פאָרעם פון די ווייפער, און די אַדסאָרפּטיאָן געגנט אָדער שטיפט מוסטער קענען זיין קאַסטאַמייזד צו פֿאַרבעסערן די ריספּאַנסיוונאַס פון אַדסאָרפּטיאָן.
מאַטעריאַל: אַלומינום אַקסייד סעראַמיק אָדער סיליציום קאַרבידע קענען זיין אויסגעקליבן, און DLC און Teflon קענען זיין פּלייטאַד אויף די ייבערפלאַך.
הויך-פּינטלעכקייַט SiC / SSiC ווייפער שטיפט טשאַקס זענען דעוועלאָפּעד פֿאַר ווייפער ויסשטעלן, דורכקוק, טראַנספּערטיישאַן פּראַסעסאַז וואָס זענען העכסט פלעקסאַבאַל, זייער פלאַך און גאָר קעגנשטעליק צו האַרב ארבעטן ינווייראַנמאַנץ.
פּרעסיסיאָן טעסט דאַטאַ
אַפּפּליקאַטיאָן
ווייפער פיקסיישאַן פון סעמיקאַנדאַקטער ויסשטעלן מיטל; ווייפער פיקסיישאַן פון ווייפער דורכקוק מיטל.