STMicroelectronics NV construirá en Italia la primera planta de carburo de silicio totalmente integrada del mundo

STMicroelectronics, el principal proveedor de semiconductores del mundo, anunció que construirá una nueva instalación de producción de alto volumen de carburo de silicio ("SiC") de 200 mm en Catania, Italia, para dispositivos y módulos de potencia, así como para pruebas y embalaje. La planta albergará plantas de fabricación de sustratos de SiC en el mismo sitio, que conformarán el campus de carburo de silicio de ST. Esto cumple la visión de la empresa de una instalación de fabricación totalmente integrada verticalmente para la producción en masa de SiC en un solo sitio. El establecimiento del nuevo sitio de producción de carburo de silicio es un hito importante que apoyará a los clientes de dispositivos de carburo de silicio en aplicaciones automotrices, industriales y de infraestructura en la nube en su transición a la electrificación y buscando una mayor eficiencia.

Jean-Marc Chery, presidente y director ejecutivo de ST, dijo: "Las capacidades totalmente integradas desbloqueadas por el campus de Silicon Carbide en Catania contribuirán significativamente al liderazgo de ST en tecnología de carburo de silicio para clientes industriales y de automoción en las próximas décadas". "Las sinergias que ofrece este proyecto nos permitirán aprovechar mejor nuestra capacidad de producción de alto volumen para la innovación, beneficiando a nuestros clientes europeos y globales en su transición a la electrificación y buscando soluciones más eficientes desde el punto de vista energético para cumplir sus objetivos de descarbonización", afirmó.

El campus de Silicon Carbide servirá como centro del ecosistema global de carburo de silicio de ST, integrando todos los aspectos del proceso de producción, incluido el desarrollo de sustratos de carburo de silicio, los procesos de crecimiento epitaxial, la fabricación de obleas frontales de 200 mm y el empaque del canal posterior del módulo, así como el desarrollo de procesos, productos. diseño, LABS de I+D avanzados para chips, sistemas y módulos de energía, y capacidades integrales de empaquetado. Esto permitirá la producción en masa de obleas de carburo de silicio de 200 mm por primera vez en Europa, utilizando tecnología de 200 mm para cada paso del proceso (base, epitaxial, extremo frontal y final) para aumentar el rendimiento y el rendimiento.

Está previsto que la nueva instalación comience a producir en 2026 y alcance su capacidad total en 2033, siendo capaz de producir 15.000 obleas por semana cuando esté completamente terminada. Se espera que la inversión total sea de alrededor de 5 mil millones de euros, y el gobierno italiano proporcionará alrededor de 2 mil millones de euros en apoyo en el marco de la Ley de Chips de la UE. Las prácticas de sostenibilidad son parte integral del diseño, desarrollo y operación de parques de carburo de silicio para asegurar el consumo de recursos, incluidos agua y electricidad.

Ampliación de información

El carburo de silicio ("SiC") es un importante material (y tecnología) compuesto de silicio y carbono que ofrece varias ventajas en aplicaciones de energía en comparación con el silicio tradicional. La amplia banda prohibida del carburo de silicio y sus características inherentes (mejor conductividad térmica, mayor velocidad de conmutación, baja disipación) lo hacen particularmente adecuado para la fabricación de dispositivos de potencia de alto voltaje (especialmente por encima de 1200 V). Los dispositivos de potencia de SiC (MOSFET de SiC vendidos como chips desnudos y módulos de SiC completos) son particularmente adecuados para vehículos eléctricos, infraestructura de carga rápida, energía renovable y una variedad de aplicaciones industriales, incluidos centros de datos, porque tienen mayor corriente y menores fugas en comparación con semiconductores tradicionales de silicio, lo que da como resultado una mayor eficiencia energética. Sin embargo, en comparación con los chips de silicio, los chips de carburo de silicio son más difíciles y costosos de fabricar, y existen muchos desafíos que superar en la industrialización del proceso de fabricación.

El liderazgo de St en SiC surge de 25 años de enfoque e inversión en investigación y desarrollo, así como de una gran cartera de patentes clave. Catania ha sido durante mucho tiempo una importante base de innovación para ST, y su mayor centro de fabricación e I+D de SiC ha contribuido con éxito al desarrollo de nuevas soluciones para producir más y mejores dispositivos de SiC. Con un ecosistema de electrónica de potencia establecido, que incluye una larga y exitosa colaboración entre ST y la Universidad de Catania y el CNR (Consejo Nacional de Investigación de Italia), así como una gran red de proveedores, esta inversión fortalecerá el papel de Catania como centro de competencia global para tecnología SiC y generar oportunidades de crecimiento adicionales.

Actualmente, St produce en masa sus productos emblemáticos de carburo de silicio en dos líneas de producción de obleas de 150 mm en Catania (Italia) y Ang Mo Kio (Singapur). El tercer centro, una empresa conjunta con SAN 'an Optoelectronics, está construyendo una planta de 200 mm en Chongqing (China) para atender al mercado chino exclusivamente para ST. Las instalaciones de producción de obleas de St cuentan con el respaldo de operaciones de prueba y envasado de gran volumen a escala automotriz en Bouskoura (Marruecos) y Shenzhen (China). La I+D y la industrialización de sustratos de SiC se están llevando a cabo en Norrkoping (Suecia) y Catania, donde las plantas de sustratos de SiC de ST están aumentando la producción y donde trabaja la mayoría del personal de diseño y desarrollo de productos de SiC de ST.

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