در زمینه ریخته گری ویفر، TSMC همیشه پیشرو در صنعت بوده است و سامسونگ دومین شرکت بزرگ در این صنعت است، اما فاصله بین دومین و قدیمی ترین آنها بسیار زیاد است.
کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل شکاف باند وسیع، استحکام مکانیکی بالا و حرارت بالا به عنوان ماده جایگزین برای نیمه هادی های مبتنی بر سیلیکون (Si) در صنعت الکترونیک در نظر گرفته می شود.
