کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل شکاف باند گسترده، استحکام مکانیکی بالا و حرارت بالا به عنوان ماده جایگزین برای نیمه هادی های مبتنی بر سیلیکون (Si) در صنعت الکترونیک در نظر گرفته می شود.
برای بیش از ده سال، لیتوگرافی غوطه وری اصلی ترین فناوری نوردهی در تولید نیمه هادی ها بوده است.
