اگرچه تولیدکنندگان بیشتری برای نورپردازی برای لیتوگرافی EUV وجود خواهند داشت. اما در حال حاضر بازار تحت سلطه شرکت های ژاپنی است.
تغییر به پلاسمای مبتنی بر هیدروژن، حکاکی با سرعت بالای بسترهای GaN را تضمین می کند و مهندسان دانشگاه اوزاکا در ژاپن ادعا می کنند که پیشرفت جدیدی در نازک شدن نیترید گالیوم (GaN...
