فناوری جذب ویفر یک پیوند به ظاهر پیش پا افتاده اما حیاتی است. ویفرها چه حکاکی شده، چه رسوب داده شده یا لیتوگرافی، باید به طور پایدار و دقیق در موقعیت مناسب ثابت شوند تا از کارآمدی اطمینان حاصل شود.
کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل شکاف باند وسیع، استحکام مکانیکی بالا و حرارت بالا به عنوان ماده جایگزین برای نیمه هادی های مبتنی بر سیلیکون (Si) در صنعت الکترونیک در نظر گرفته می شود.
