ویفر با رشد کریستال شروع می شود
کاربید سیلیکون (SiC) به دلیل شکاف باند وسیع، استحکام مکانیکی بالا و حرارت بالا به عنوان ماده جایگزین برای نیمه هادی های مبتنی بر سیلیکون (Si) در صنعت الکترونیک در نظر گرفته می شود.
