فناوری CMP (Chemical Mechanical Polishing) یک فرآیند کلیدی برای دستیابی به سطوح یکنواخت و مسطح جهانی ویفر در تولید نیمه هادی است.
ویژگی های کیفیت کریستال با کیفیت بالا لایه همپایی SiC باعث می شود که لایه همپایی باید دارای ساختار کریستالی با خلوص بالا و چگالی نقص کم باشد تا از قابلیت اطمینان اطمینان حاصل شود.
