اخبار

فرآیند تهیه ویفر: تبدیل شن و ماسه به ویفرهای سیلیکونی که می توان روی آن خطوط حک کرد، نیاز به یک فرآیند پیچیده و طولانی دارد.

فناوری لیتوگرافی یک فناوری نیمه هادی کلیدی است که بر اساس فناوری عکاسی و فناوری چاپ تخت توسعه یافته است.

رسوب لایه نازک عبارت است از رسوب لایه ای از فیلم در مقیاس نانو بر روی بستر و سپس فرآیندهای مکرر مانند اچ کردن و پولیش برای ایجاد تعداد زیادی لایه های رسانا یا عایق روی هم قرار گرفته و هر لایه دارای یک الگوی خط طراحی شده است. به این ترتیب اجزا و مدارهای نیمه هادی در یک تراشه با ساختار پیچیده یکپارچه می شوند.

ASML در 1 آوریل 1984 با نام ASM Lithography تاسیس شد. ماموریت این سرمایه گذاری مشترک بین فیلیپس و ASM اینترنشنال تجاری سازی PAS 2000، یک استپر ویفر توسعه یافته توسط فیلیپس است.

به گفته DigiTimes، کار تحقیق و توسعه تراشه 2 نانومتری TSMC پیشرفت قابل توجهی داشته است. این گره مهم نشان دهنده گام بزرگ بعدی TSMC در فناوری تولید تراشه است و پایه محکمی برای توسعه فناوری آینده خواهد گذاشت.

مزیت اچینگ این است که هزینه ساخت نمونه پایین است و تقریباً تمام مواد فلزی صنعتی که معمولاً استفاده می شود را می توان اچ کرد. هیچ محدودیتی برای سختی فلز وجود ندارد. سریع، ساده و کارآمد در طراحی.

آزمایش وسیله مهمی برای اطمینان از عملکرد و عملکرد است. تست تراشه را می توان به دو بخش اصلی تقسیم کرد. CP (کاوشگر تراشه) و FT (تست نهایی). برخی از تراشه ها نیز SLT (تست سطح سیستم) را انجام می دهند. همچنین الزامات خاصی برای تراشه ها وجود دارد که نیاز به تست قابلیت اطمینان دارند.

صنعت تراشه. اصطلاحات فنی و اختصارات. تحلیل گرافیکی اسم ها

چرا چین در تولید و مونتاژ الکترونیک تا این حد موفق است؟ اکثر مردم می گویند که این به دلیل هزینه های پایین نیروی کار است. اما تیم کوک، مدیر عامل اپل می گوید این یکی از بزرگترین تصورات غلط در مورد تولید لوازم الکترونیکی در چین است. کوک در کنفرانس فناوری فورچون توضیح داد: «در حقیقت، چین از سال‌ها پیش دیگر کشوری با هزینه نیروی کار کم نبود. "بزرگترین جذابیت برای ما کیفیت مردم است."

چاک سرامیکی متخلخل را چاک خلاء نانومتخلخل نیز می‌گویند که به کره جامد یا خلاء یکنواختی که توسط فرآیند تولید پودر نانو تولید می‌شود، اطلاق می‌شود و تعداد زیادی مواد سرامیکی متصل یا بسته از طریق تف جوشی در دمای بالا در داخل ماده تولید می‌شود.