इस नई एआई सेमीकंडक्टर तकनीक का सफल विकास और अनुप्रयोग एआई की दक्षता और सटीकता में सुधार करने की काफी संभावनाएं दिखाता है।"
हाइड्रोजन-आधारित प्लाज्मा पर स्विच करने से GaN सबस्ट्रेट्स की उच्च गति नक़्क़ाशी सुनिश्चित होती है, और जापान में ओसाका विश्वविद्यालय के इंजीनियरों ने गैलियम नाइट्राइड (GaN) को पतला करने में एक नई सफलता हासिल करने का दावा किया है...