STMicroelectronics NV इटली में दुनिया का पहला पूर्णतः एकीकृत सिलिकॉन कार्बाइड संयंत्र बनाएगा

दुनिया के अग्रणी सेमीकंडक्टर आपूर्तिकर्ता, एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स ने घोषणा की है कि वह बिजली उपकरणों और मॉड्यूल के साथ-साथ परीक्षण और पैकेजिंग के लिए कैटेनिया, इटली में एक नई 200 मिमी सिलिकॉन कार्बाइड ("SiC") उच्च मात्रा उत्पादन सुविधा का निर्माण करेगा। संयंत्र में उसी स्थान पर SiC सब्सट्रेट विनिर्माण संयंत्र होंगे, जो ST के सिलिकॉन कार्बाइड परिसर का निर्माण करेंगे। यह एक ही स्थान पर SiC के बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए पूरी तरह से लंबवत एकीकृत विनिर्माण सुविधा के कंपनी के दृष्टिकोण को पूरा करता है। नई सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादन साइट की स्थापना एक महत्वपूर्ण मील का पत्थर है जो ऑटोमोटिव, औद्योगिक और क्लाउड इंफ्रास्ट्रक्चर अनुप्रयोगों में सिलिकॉन कार्बाइड उपकरणों के ग्राहकों का समर्थन करेगी क्योंकि वे विद्युतीकरण में संक्रमण करते हैं और अधिक दक्षता चाहते हैं।

एसटी के अध्यक्ष और सीईओ जीन-मार्क चेरी ने कहा: "कैटेनिया में सिलिकॉन कार्बाइड परिसर द्वारा अनलॉक की गई पूरी तरह से एकीकृत क्षमताएं आने वाले दशकों के लिए ऑटोमोटिव और औद्योगिक ग्राहकों के लिए सिलिकॉन कार्बाइड प्रौद्योगिकी में एसटी के नेतृत्व में महत्वपूर्ण योगदान देंगी।" इस परियोजना द्वारा पेश की गई सहक्रियाएं हमें नवाचार के लिए हमारी उच्च-मात्रा उत्पादन क्षमता का बेहतर लाभ उठाने की अनुमति देंगी, जिससे हमारे यूरोपीय और वैश्विक ग्राहकों को लाभ होगा क्योंकि वे विद्युतीकरण की ओर बढ़ रहे हैं और अपने डीकार्बोनाइजेशन लक्ष्यों को पूरा करने के लिए अधिक ऊर्जा कुशल समाधान तलाश रहे हैं,'' उन्होंने कहा।

सिलिकॉन कार्बाइड परिसर एसटी के वैश्विक सिलिकॉन कार्बाइड पारिस्थितिकी तंत्र के केंद्र के रूप में काम करेगा, जिसमें सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट विकास, एपिटैक्सियल विकास प्रक्रियाओं, 200 मिमी फ्रंट वेफर फैब्रिकेशन और मॉड्यूल बैकचैनल पैकेजिंग के साथ-साथ प्रक्रिया विकास, उत्पाद सहित उत्पादन प्रक्रिया के सभी पहलुओं को एकीकृत किया जाएगा। डिजाइन, चिप्स, पावर सिस्टम और मॉड्यूल के लिए उन्नत आर एंड डी लैब और व्यापक पैकेजिंग क्षमताएं। यह यूरोप में पहली बार 200 मिमी सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन को सक्षम करेगा, जिसमें उपज और प्रदर्शन को बढ़ाने के लिए प्रक्रिया के हर चरण - बेस, एपिटैक्सियल, फ्रंट एंड और बैक एंड के लिए 200 मिमी तकनीक का उपयोग किया जाएगा।

नई सुविधा 2026 में उत्पादन शुरू करने और 2033 तक पूरी क्षमता तक पहुंचने के लिए निर्धारित है, जो पूरी तरह से पूरा होने पर प्रति सप्ताह 15,000 वेफर्स का उत्पादन करने में सक्षम है। कुल निवेश लगभग €5 बिलियन होने की उम्मीद है, इतालवी सरकार ईयू चिप अधिनियम के ढांचे के भीतर लगभग €2 बिलियन का समर्थन प्रदान करेगी। पानी और बिजली सहित संसाधनों की खपत सुनिश्चित करने के लिए स्थिरता प्रथाएं सिलिकॉन कार्बाइड पार्कों के डिजाइन, विकास और संचालन का एक अभिन्न अंग हैं।

सूचना का विस्तार

सिलिकॉन कार्बाइड ("SiC") सिलिकॉन और कार्बन से बना एक महत्वपूर्ण यौगिक सामग्री (और प्रौद्योगिकी) है जो पारंपरिक सिलिकॉन की तुलना में बिजली अनुप्रयोगों में कई फायदे प्रदान करता है। सिलिकॉन कार्बाइड का चौड़ा बैंड गैप और इसकी अंतर्निहित विशेषताएं - बेहतर तापीय चालकता, उच्च स्विचिंग गति, कम अपव्यय - इसे उच्च वोल्टेज बिजली उपकरणों (विशेष रूप से 1200V से ऊपर) के निर्माण के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनाती हैं। SiC पावर डिवाइस (SiC MOSFETs को नंगे चिप्स और पूर्ण SiC मॉड्यूल के रूप में बेचा जाता है) विशेष रूप से इलेक्ट्रिक वाहनों, फास्ट चार्जिंग इंफ्रास्ट्रक्चर, नवीकरणीय ऊर्जा और डेटा केंद्रों सहित विभिन्न औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं, क्योंकि उनमें तुलना में अधिक करंट और कम रिसाव होता है। पारंपरिक सिलिकॉन अर्धचालक, जिसके परिणामस्वरूप ऊर्जा दक्षता में सुधार हुआ। हालाँकि, सिलिकॉन चिप्स की तुलना में, सिलिकॉन कार्बाइड चिप्स का निर्माण करना अधिक कठिन और महंगा है, और विनिर्माण प्रक्रिया के औद्योगीकरण में कई चुनौतियों से पार पाना है।

SiC में सेंट का नेतृत्व अनुसंधान और विकास में 25 वर्षों के फोकस और निवेश के साथ-साथ प्रमुख पेटेंट के एक बड़े पोर्टफोलियो से उपजा है। कैटेनिया लंबे समय से एसटी के लिए एक महत्वपूर्ण नवाचार आधार रहा है, इसकी सबसे बड़ी एसआईसी आर एंड डी और विनिर्माण साइट अधिक और बेहतर एसआईसी उपकरणों का उत्पादन करने के लिए नए समाधानों के विकास में सफलतापूर्वक योगदान दे रही है। एक स्थापित पावर इलेक्ट्रॉनिक्स पारिस्थितिकी तंत्र के साथ, जिसमें एसटी और कैटेनिया विश्वविद्यालय और सीएनआर (इतालवी राष्ट्रीय अनुसंधान परिषद) के साथ-साथ एक बड़े आपूर्तिकर्ता नेटवर्क के बीच एक लंबा और सफल सहयोग शामिल है, यह निवेश वैश्विक क्षमता केंद्र के रूप में कैटेनिया की भूमिका को मजबूत करेगा। SiC प्रौद्योगिकी और अतिरिक्त विकास के अवसरों को जन्म देती है।

सेंट वर्तमान में कैटेनिया (इटली) और आंग मो किओ (सिंगापुर) में दो 150 मिमी वेफर उत्पादन लाइनों पर अपने प्रमुख सिलिकॉन कार्बाइड उत्पादों का बड़े पैमाने पर उत्पादन करता है। तीसरा केंद्र, सैन ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स के साथ एक संयुक्त उद्यम, एसटी के लिए विशेष रूप से चीनी बाजार की सेवा के लिए चोंगकिंग (चीन) में 200 मिमी संयंत्र का निर्माण कर रहा है। सेंट की वेफर उत्पादन सुविधाएं बौस्कौरा (मोरक्को) और शेन्ज़ेन (चीन) में ऑटोमोटिव स्केल उच्च-मात्रा पैकेजिंग और परीक्षण कार्यों द्वारा समर्थित हैं। SiC सबस्ट्रेट्स का अनुसंधान एवं विकास और औद्योगीकरण नॉरकोपिंग (स्वीडन) और कैटेनिया में हो रहा है, जहां ST के SiC सब्सट्रेट संयंत्र उत्पादन में तेजी ला रहे हैं और जहां ST के अधिकांश SiC उत्पाद विकास और डिजाइन कर्मचारी काम करते हैं।

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