एपिटैक्सी क्या है?

एपिटैक्सीएक क्रिस्टल विकास या सामग्री जमाव तकनीक को संदर्भित करता है, जो माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स विनिर्माण प्रक्रिया में एक अत्यंत महत्वपूर्ण स्थान रखता है, जिसमें शामिल हैं: होमोएपिटैक्सी, हेटेरोएपिटैक्सी और इंटरग्रेन एपिटेक्सी, एपिटेक्सी द्वारा गठित नई क्रिस्टलीय परत के सापेक्ष एक या अधिक स्पष्ट क्रिस्टल डोमेन अभिविन्यास है सब्सट्रेट या बीज, यानी, नई क्रिस्टलीय परत के प्रत्येक डोमेन में सब्सट्रेट क्रिस्टल संरचना के सापेक्ष एक स्पष्ट क्रिस्टल अभिविन्यास होना चाहिए।

एपिटैक्सियल क्रिस्टल ग्रोथ तकनीक में फिल्म बनाने की तीन विधियाँ हैं (जैसा कि चित्र में दिखाया गया है): वोल्मर-वेबर (वीडब्ल्यू), फ्रैंक-वैन डेर मेरवे (एफएम) और स्ट्रांस्की-क्रास्टानोव (एसके)।

आमतौर पर तरल चरण एपिटैक्सी (एलपीई) प्रौद्योगिकी और गैस चरण एपिटैक्सी प्रौद्योगिकी में विभाजित किया जाता है, जिसमें गैस चरण एपिटैक्सी और धातु कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमाव (एमओसीवीडी) और आणविक बीम एपिटैक्सी (एमबीई) शामिल हैं। जमा हुई क्रिस्टलीय फिल्म को एपिटैक्सियल फिल्म या एपिटैक्सियल परत कहा जाता है।

फिल्म विकास के तीन मुख्य तरीके हैं, जिनमें शामिल हैं:

(ए)वोल्मर-वेबर (VW, द्वीप विकास)

(बी) फ्रैंक-वैन डेर मेरवे (एफएम, स्तरित विकास)

(सी) स्ट्रांस्की-क्रास्टानोव (एसके, स्तरित द्वीप विकास)

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