STMicroelectronics NV costruirà in Italia il primo impianto di carburo di silicio completamente integrato al mondo

La STMicroelectronics, il principale fornitore mondiale di semiconduttori, ha annunciato che costruirà un nuovo impianto di produzione ad alto volume di carburo di silicio ("SiC") da 200 mm a Catania, in Italia, per dispositivi e moduli di potenza, nonché per test e confezionamento. L'impianto ospiterà impianti di produzione di substrati SiC nello stesso sito, che costituiranno il campus del carburo di silicio della ST. Ciò soddisfa la visione dell'azienda di un impianto di produzione completamente integrato verticalmente per la produzione di massa di SiC in un unico sito. La creazione del nuovo sito di produzione di carburo di silicio rappresenta un traguardo importante che supporterà i clienti di dispositivi in ​​carburo di silicio nelle applicazioni automobilistiche, industriali e infrastrutturali cloud nella transizione verso l’elettrificazione e alla ricerca di una maggiore efficienza.

Jean-Marc Chery, Presidente e Amministratore Delegato della ST, ha dichiarato: "Le capacità completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in modo significativo alla leadership della ST nella tecnologia del carburo di silicio per i clienti automobilistici e industriali per i decenni a venire." Le sinergie offerte da questo progetto ci consentiranno di sfruttare meglio la nostra capacità di produzione di grandi volumi per l’innovazione, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali mentre passano all’elettrificazione e cercano soluzioni più efficienti dal punto di vista energetico per raggiungere i loro obiettivi di decarbonizzazione”, ha affermato.

Il campus del carburo di silicio fungerà da fulcro dell'ecosistema globale del carburo di silicio della ST, integrando tutti gli aspetti del processo di produzione, tra cui lo sviluppo del substrato di carburo di silicio, i processi di crescita epitassiale, la fabbricazione del wafer anteriore da 200 mm e il confezionamento del canale posteriore del modulo, nonché lo sviluppo del processo, la progettazione, LABORATORI di ricerca e sviluppo avanzati per chip, sistemi e moduli di alimentazione e capacità di confezionamento complete. Ciò consentirà per la prima volta in Europa la produzione in serie di wafer in carburo di silicio da 200 mm, utilizzando la tecnologia da 200 mm per ogni fase del processo (base, epitassiale, front-end e back-end) per aumentare resa e prestazioni.

Si prevede che il nuovo impianto inizierà la produzione nel 2026 e raggiungerà la piena capacità entro il 2033, in grado di produrre 15.000 wafer a settimana una volta completato. Si prevede che l’investimento totale ammonterà a circa 5 miliardi di euro, con il governo italiano che fornirà circa 2 miliardi di euro di sostegno nell’ambito dell’EU Chip Act. Le pratiche di sostenibilità sono parte integrante della progettazione, dello sviluppo e del funzionamento dei parchi di carburo di silicio per garantire il consumo di risorse, comprese acqua ed elettricità.

Estensione delle informazioni

Il carburo di silicio ("SiC") è un importante materiale composito (e tecnologia) composto da silicio e carbonio che offre numerosi vantaggi nelle applicazioni di potenza rispetto al silicio tradizionale. L'ampio gap di banda del carburo di silicio e le sue caratteristiche intrinseche - migliore conduttività termica, maggiore velocità di commutazione, bassa dissipazione - lo rendono particolarmente adatto per la produzione di dispositivi di potenza ad alta tensione (soprattutto sopra 1200 V). I dispositivi di potenza SiC (MOSFET SiC venduti come chip nudi e moduli SiC completi) sono particolarmente adatti per veicoli elettrici, infrastrutture di ricarica rapida, energia rinnovabile e una varietà di applicazioni industriali, compresi i data center, perché hanno una corrente più elevata e una dispersione inferiore rispetto ai dispositivi semiconduttori tradizionali in silicio, con conseguente miglioramento dell’efficienza energetica. Tuttavia, rispetto ai chip di silicio, i chip di carburo di silicio sono più difficili e costosi da produrre e ci sono molte sfide da superare nell’industrializzazione del processo di produzione.

La leadership di St nel SiC deriva da 25 anni di attenzione e investimenti in ricerca e sviluppo, nonché da un ampio portafoglio di brevetti chiave. Catania è da tempo un'importante base di innovazione per la ST, con il suo più grande sito di ricerca e sviluppo e produzione di SiC che contribuisce con successo allo sviluppo di nuove soluzioni per produrre più e migliori dispositivi SiC. Con un ecosistema consolidato per l'elettronica di potenza, che comprende una lunga e proficua collaborazione tra la ST, l'Università di Catania e il CNR (Consiglio Nazionale delle Ricerche italiano), nonché un'ampia rete di fornitori, questo investimento rafforzerà il ruolo di Catania come centro di competenza globale per La tecnologia SiC porterà ad ulteriori opportunità di crescita.

St attualmente produce in serie i suoi prodotti di punta in carburo di silicio presso due linee di produzione di wafer da 150 mm a Catania (Italia) e Ang Mo Kio (Singapore). Il terzo centro, una joint venture con SAN 'an Optoelectronics, sta costruendo un impianto da 200 mm a Chongqing (Cina) per servire il mercato cinese esclusivamente per la ST. Gli impianti di produzione di wafer di St sono supportati da operazioni di confezionamento e test di grandi volumi su scala automobilistica a Bouskoura (Marocco) e Shenzhen (Cina). Le attività di ricerca, sviluppo e industrializzazione dei substrati SiC si svolgono a Norrkoping (Svezia) e a Catania, dove gli impianti di substrati SiC della ST stanno accelerando la produzione e dove lavora la maggior parte del personale di progettazione e sviluppo dei prodotti SiC della ST.

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