水素ベースのプラズマに切り替えることで、GaN 基板の高速エッチングが保証され、日本の大阪大学の技術者らは、窒化ガリウム (GaN...
10 年以上にわたり、液浸リソグラフィーは半導体製造における主要な露光技術でした。