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ただし、EUV リソグラフィー用のフォトレジスト メーカーはさらに増えるでしょう。 しかし現時点では、市場は日本企業が独占している。

複数のチップを同じパッケージ内に並べて配置すると熱の問題を軽減できますが、企業はパフォーマンスの向上と消費電力の削減を目的としてチップの積層とパッケージの高密度化をさらに進めており、熱関連の新たな問題と闘っています。

半導体技術の発展は、グリーン社会と低炭素社会を構築するための重要な原動力です。 同時に、半導体業界自体もグリーンと低炭素を積極的に達成しており、カーボンニュートラルの戦略目標を積極的に実践しています。

近年、世界的にウェーハの需給バランスが崩れており、200mmウェーハの品薄状態は数年続くことが予想されています。

SiC エピタキシャル層の高品質な結晶品質の特徴により、SiC 部品の信頼性を確保するには、エピタキシャル層は高純度で低欠陥密度の結晶構造を持たなければなりません。

水素ベースのプラズマに切り替えることで、GaN 基板の高速エッチングが保証され、日本の大阪大学の技術者らは、水素ベースのプラズマを使用した窒化ガリウム (GaN) 基板の薄層化において新たな進歩を遂げたと主張しています。

この新しい AI 半導体技術の開発と応用の成功は、AI の効率と精度を向上させる大きな可能性を示しています。」

IEEEの専門家は、ソーラーコーティングから瞬間充電式バッテリーまで、ナノテクノロジーには幅広い応用の可能性があると指摘した

現在、IBMはサムスン、米国空軍と海軍とともに研究に資金を提供しており、半導体やコンピュータでのグラフェンの使用を検討している。

アルミナセラミックスは、アルミナ（Al2O3）を主体とした厚膜集積回路用セラミック材料です。