炭化ケイ素 (SiC) は、その広いバンドギャップ、高い機械的強度、高い耐熱性により、エレクトロニクス産業においてシリコン (Si) ベースの半導体の代替材料と考えられています。
ウェーハの製造プロセスでは、ウェーハを一定の温度に加熱する必要があり、ウェーハの温度が均一であるため、ウェーハの温度均一性には非常に厳しい要件があります。
