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실리콘카바이드(SiC)는 넓은 밴드갭, 높은 기계적 강도, 높은 열전도율로 인해 전자산업에서 실리콘(Si) 기반 반도체의 대체 소재로 주목받고 있다. SiC 전력 장치는 더 높은 전압, 주파수 및 온도에서 작동하며 더 높은 효율 또는 더 낮은 전력 손실로 전력을 변환할 수 있습니다.

고순도 흑연은 높은 온도 저항성, 우수한 전기 전도성 및 화학적 안정성을 갖고 있어 반도체 분야의 핵심 소재가 되었습니다.

지난 2월 19일, 시스코는 어려운 경제 상황으로 인해 전 세계 인력의 5%, 즉 4,000명 이상의 근무지를 감축하고 연간 매출 목표를 낮출 것이라고 밝혔습니다.

집적 회로 제조의 핵심 기술 및 장비에는 주로 리소그래피 기술 및 리소그래피 장비, 필름 성장 기술 및 장비, 화학 기계 연마 기술 및 장비, 고밀도 후 패키징 기술 및 장비가 포함되며 모두 모션 제어 기술 및 높은 구동 기술을 포함합니다. 효율성, 높은 정밀도 및 높은 안정성. 구조 부품의 정확성과 구조 재료의 성능에 대한 요구 사항은 매우 높습니다.

웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼는 특정 온도까지 가열되어야 하며 웨이퍼 온도 균일성은 매우 엄격한 요구 사항을 갖습니다. 왜냐하면 웨이퍼 온도 균일성은 반도체 칩의 품질에 매우 중요한 영향을 미치기 때문입니다. 동시에 세라믹 히터를 사용해야 하는 진공, 플라즈마, 화학 가스 환경에서도 작업해야 합니다.

반도체 칩은 전자제품, 휴대폰, 스마트워치, 컴퓨터, 자동차, 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅 등 모든 곳에 존재하며, 사물인터넷이 업그레이드되면서 떼어놓을 수 없다. 반도체산업에 있어서 첨단세라믹은 전체 반도체산업 기반의 근간입니다.

최근 산호세에서 열린 초대 전용 이벤트에 앞서 독점 인터뷰를 진행한 Intel은 미래의 데이터 센터 프로세서를 엿볼 수 있는 내용을 공유함으로써 계약 고객에게 제공할 새로운 칩 기술에 대해 설명했습니다.

웨이퍼 파운드리 분야에서는 TSMC가 줄곧 업계 1위를 차지하고 있으며, 삼성이 업계 2위지만 2위와 1위의 격차가 매우 커서 TSMC의 점유율이 58.5%에 달하고 삼성의 점유율도 높다. 15.8%에 불과하다.

정밀 세라믹 재료는 다양한 성능 요구 사항에 따라 가공 방법이 다릅니다. 현재 주요 가공 방법에는 기계 가공, 전기 가공, 초음속 가공, 레이저 가공 및 복합 가공이 포함됩니다. 다음은 정밀세라믹의 가공방법에 대해 간략하게 소개합니다.

미세 다공성 세라믹은 흡착성, 투과성, 내식성, 환경 적합성, 생체 적합성, 표면 구조의 고유한 물리적, 화학적 특성 등의 장점을 가지며 모든 종류의 액체 여과, 가스 여과 및 고정 생물학적 효소 담체 및 생물학적 적응 담체에 널리 사용됩니다.