수소 기반 플라즈마로 전환하면 GaN 기판의 고속 에칭이 보장되며, 일본 오사카 대학의 엔지니어들은 질화갈륨(GaN)을 얇게 만드는 데 새로운 돌파구를 마련했다고 주장합니다.
빠르게 발전하는 반도체 기술 분야에서 물리 기상 증착(PVD)은 박막 증착 공정의 정밀도와 효율성을 달성하기 위한 핵심 도구입니다. 이 논문은 공동 ...
