Proses dan peralatan semikonduktor: proses dan peralatan pemendapan filem nipis

Pemendapan Filem Nipis ialah pemendapan lapisan filem berskala nano pada substrat, dan kemudian proses berulang seperti etsa dan penggilap, untuk membuat banyak lapisan konduktif atau penebat bertindan, dan setiap lapisan mempunyai corak garisan yang direka bentuk. Dengan cara ini, komponen dan litar semikonduktor disepadukan ke dalam cip dengan struktur yang kompleks.

Pemendapan filem nipis dibahagikan kepada tiga kategori utama:

◈ Pemendapan Wap Kimia (CVD) ◈ Pemendapan Wap Kimia (CVD)

◈ Pemendapan Wap Fizikal (PVD) ◈ Pemendapan Wap Fizikal

◈ ALD (Pemendapan Lapisan Atom) ALD (Pemendapan Lapisan Atom)

Di bawah ini kami meneroka teknologi pemendapan filem nipis secara mendalam daripada ketiga-tiga kategori ini

Proses Pemendapan Wap Kimia (CVD).

Pemendapan wap kimia (CVD) membentuk filem nipis pada permukaan substrat melalui penguraian terma dan/atau tindak balas sebatian gas. Bahan lapisan filem yang boleh dibuat dengan kaedah CVD termasuk karbida, nitrida, borida, oksida, sulfida, selenida, telurida, dan beberapa sebatian logam, aloi, dsb.

Proses Pemendapan Wap Fizikal (PVD).

Di bawah keadaan vakum, menggunakan kaedah fizikal, bahan permukaan sumber bahan (pepejal atau cecair) diwap menjadi atom gas, molekul atau sebahagiannya terion menjadi ion, dan melalui proses gas tekanan rendah (atau plasma), filem dengan khas fungsi dimendapkan pada permukaan teknologi substrat. Pemendapan wap fizikal bukan sahaja boleh mendepositkan filem logam, filem aloi, tetapi juga menyimpan sebatian, seramik, semikonduktor, filem polimer dan sebagainya.

Terdapat juga pelbagai proses untuk pemendapan wap fizikal:

◈Salutan Vakum Filem Nipis

◈Salutan Sputter PVD-Sputtering

◈ Salutan Ion

Proses Pemendapan Lapisan Atom (ALD).

Pemendapan Lapisan Atom (ALD) ialah teknologi pemendapan filem nipis berketepatan tinggi berdasarkan pemendapan wap kimia (CVD), yang mendepositkan bahan lapisan demi lapisan pada permukaan substrat dalam bentuk filem atom tunggal berdasarkan fasa wap kimia.

Berbeza daripada CVD tradisional, dalam proses pemendapan ALD, prekursor tindak balas didepositkan secara bergantian, dan tindak balas kimia filem atom baru berkaitan secara langsung dengan lapisan sebelumnya, supaya hanya satu lapisan atom didepositkan dalam setiap tindak balas.

Hanya satu lapisan atom didepositkan dalam setiap tindak balas, yang mempunyai ciri-ciri pertumbuhan terhad sendiri, supaya filem itu boleh menjadi selaras dan dimendapkan pada substrat tanpa lubang jarum. Oleh itu, ketebalan filem boleh dikawal dengan tepat dengan mengawal bilangan kitaran pemendapan.

ALD boleh dimendapkan bahan termasuk logam, oksida, karbon (nitrogen, sulfur, silikon) sebatian, pelbagai bahan semikonduktor dan bahan superkonduktor. Dengan penyepaduan litar bersepadu yang semakin tinggi dan lebih tinggi, saiznya semakin kecil dan semakin kecil, pemalar dielektrik tinggi (k) sederhana gerbang secara beransur-ansur menggantikan pintu silikon oksida tradisional, dan nisbah aspek semakin besar, yang meletakkan lebih tinggi keperluan pada keupayaan liputan langkah teknologi pemendapan, jadi ALD telah digunakan lebih dan lebih sebagai proses pemendapan baharu yang boleh memenuhi keperluan di atas.

Fountyl Technologies PTE Ltd, memberi tumpuan kepada industri pembuatan semikonduktor, produk utama termasuk: Pin chuck, poros ceramic chuck, seramik end effector, seramik square rasuk, seramik spindle, dialu-alukan untuk menghubungi dan rundingan！