Sepuluh jenis teknologi pemendapan mengenai PVD & PVD dan CVD & AMAT PVD pengenalan produk

Pemendapan filem adalah teknologi yang sangat penting dalam proses pembuatan semikonduktor, yang merupakan satu siri proses yang melibatkan penjerapan atom, resapan atom terjerap pada permukaan dan penyatuan atom terjerap di lokasi yang sesuai untuk secara beransur-ansur membentuk filem dan berkembang. Dalam pembinaan pelaburan wafer baharu, 80% daripada pelaburan dalam fab digunakan untuk membeli peralatan. Antaranya, peralatan pemendapan filem nipis adalah salah satu langkah teras pembuatan wafer, menyumbang kira-kira 25% daripada perkadaran.

Proses pemendapan filem nipis terutamanya dibahagikan kepada pemendapan wap fizikal dan pemendapan wap kimia. Teknologi Pemendapan Wap Fizikal (PVD) merujuk kepada penggunaan kaedah fizikal untuk mengewapkan sumber bahan - permukaan pepejal atau cecair menjadi atom gas, molekul atau pengionan separa menjadi ion di bawah keadaan vakum, dan melalui proses gas (atau plasma) tekanan rendah . Satu teknik untuk mendepositkan filem nipis dengan fungsi tertentu pada permukaan substrat. Prinsip pemendapan wap fizikal boleh dibahagikan secara kasar kepada salutan penyejatan, salutan sputtering dan penyaduran ion, dan secara khusus merangkumi pelbagai teknologi salutan seperti MBE. Pada masa ini, teknologi pemendapan wap fizikal bukan sahaja boleh mendepositkan filem logam, filem aloi, tetapi juga menyimpan sebatian, seramik, semikonduktor, filem polimer dan sebagainya.

Dengan perkembangan teknologi, teknologi PVD juga sentiasa berinovasi, terdapat banyak teknologi khusus untuk kegunaan tertentu, dalam inventori khas ini untuk semua orang memperkenalkan pelbagai teknologi PVD.

Teknologi salutan Penyejatan Vakum

Salutan penyejatan vakum berada di bawah keadaan vakum, bahan penyejatan dipanaskan oleh penyejat, supaya ia menyublim, aliran zarah penyejatan diarahkan terus ke substrat, dan didepositkan pada substrat untuk membentuk filem pepejal, atau vakum bahan salutan penyejatan pemanasan kaedah salutan. Proses fizikal ialah: menggunakan beberapa kaedah tenaga untuk menukar kepada tenaga haba, memanaskan bahan penyaduran untuk menyejat atau sublimat, dan menjadi zarah gas (atom, molekul atau kumpulan atom) dengan tenaga tertentu (0.1~0.3eV); Apabila meninggalkan permukaan penyaduran, zarah gas dengan halaju yang besar diangkut ke permukaan substrat dalam penerbangan garis lurus tanpa perlanggaran pada dasarnya. Zarah gas yang sampai ke permukaan matriks terpeluwap menjadi nukleasi dan berkembang menjadi filem fasa pepejal. Atom-atom yang membentuk filem disusun semula atau terikat secara kimia.

Teknik penyejatan rasuk elektron

Penyejatan Rasuk Elektron ialah sejenis pemendapan wap fizikal. Berbeza dengan kaedah penyejatan tradisional, penyejatan rasuk elektron boleh menggunakan elektron bertenaga tinggi dengan tepat untuk membedil bahan sasaran dalam mangkuk pijar, mencairkannya dan kemudian mendepositkannya pada substrat dengan kerjasama medan elektromagnet. Penyejatan rasuk elektron biasanya digunakan untuk menyediakan filem Al, CO, Ni, Fe aloi atau oksida, filem SiO2, ZrO2, filem oksida tahan kakisan dan tahan suhu tinggi.

Teknologi salutan sputtering
Teknologi salutan sputtering adalah untuk membedil permukaan sasaran dengan ion, dan fenomena bahawa atom sasaran terkena dipanggil sputtering. Atom yang dihasilkan oleh sputtering diendapkan pada permukaan substrat untuk membentuk filem yang dipanggil sputtering coating. Pengionan gas biasanya dihasilkan oleh pelepasan gas, dan ion positifnya mengebom sasaran katod pada kelajuan tinggi di bawah tindakan medan elektrik, mengetuk atom atau molekul sasaran katod, dan terbang ke permukaan substrat untuk didepositkan ke dalam filem .

Teknologi sputtering Rf

Rf sputtering adalah sejenis teknologi salutan sputtering. Bekalan kuasa AC dan bukannya bekalan kuasa DC membentuk sistem sputtering AC, kerana kekerapan bekalan kuasa AC yang biasa digunakan adalah dalam segmen RF, seperti 13.56MHz, jadi ia dipanggil RF sputtering.

Teknologi sputtering magnetron

Teknologi sputtering magnetron tergolong dalam teknologi PVD (physical wap deposition) dan merupakan salah satu kaedah penting untuk menyediakan bahan filem nipis. Ia adalah penggunaan zarah bercas yang dipercepatkan dalam medan elektrik mempunyai tenaga kinetik tertentu, ion diarahkan kepada bahan terpercik yang diperbuat daripada elektrod sasaran (katod), dan atom sasaran terpercik keluar untuk menjadikannya bergerak mengikut arah tertentu ke substrat dan didepositkan pada substrat ke dalam kaedah filem. Peralatan sputtering magnetron menjadikan ketebalan salutan dan keseragaman boleh dikawal, dan filem yang disediakan mempunyai ketumpatan yang baik, lekatan yang kuat dan ketulenan yang tinggi. Teknologi ini telah menjadi cara penting untuk menyediakan pelbagai filem berfungsi.

Teknologi salutan ion
Penyaduran ion ialah teknologi salutan baharu yang dibangunkan berdasarkan penyaduran penyejatan vakum dan salutan sputtering. Pelbagai kaedah pelepasan gas diperkenalkan ke dalam bidang pemendapan wap. Keseluruhan proses pemendapan wap dijalankan dalam plasma. Ia termasuk penyaduran ion sputtering magnetron, penyaduran ion reaktif, penyaduran ion nyahcas katod berongga (kaedah penyejatan katod berongga), penyaduran ion berbilang arka (penyaduran ion arka katod) dan sebagainya. Penyaduran ion sangat meningkatkan tenaga zarah lapisan filem, dan boleh mendapatkan lapisan filem dengan prestasi yang lebih baik, yang mengembangkan bidang aplikasi "filem". Ia adalah teknologi baharu yang pesat membangun dan popular.

Penyaduran ion lengkok berbilang (MAIP)

Penyaduran ion berbilang arka ialah kaedah penyejatan langsung logam pada sasaran katod pepejal dengan nyahcas arka. Penyejatan ialah ion bahan katod yang dilepaskan dari titik terang arka katod, dan kemudian didepositkan pada permukaan substrat sebagai filem.

Epitaksi rasuk molekul (MBE)

Molecular beam epitaxy (MBE) ialah kaedah pembuatan filem epitaksi yang baru dibangunkan, yang merupakan teknologi baharu untuk mengembangkan filem kristal berkualiti tinggi pada substrat kristal. Di bawah keadaan vakum ultra tinggi, wap yang dihasilkan oleh relau yang dipanaskan dengan pelbagai komponen yang diperlukan, rasuk molekul atau rasuk atom yang terbentuk selepas penyusunan lubang kecil, terus disuntik ke dalam substrat kristal tunggal pada suhu yang sesuai, dan molekul rasuk dikawal untuk mengimbas substrat, supaya molekul atau atom boleh disusun lapisan demi lapisan "panjang" pada substrat untuk membentuk filem.

Pemendapan laser berdenyut (PLD)
Pemendapan Laser Berdenyutan (PLD), juga dikenali sebagai ablasi laser berdenyut (PLA), ialah sejenis pengeboman laser terhadap objek, dan kemudian bahan yang dibombardir dimendapkan pada substrat yang berbeza. Satu cara untuk mendapatkan mendakan atau filem.

Epitaksi Rasuk molekul laser (L-MBE)
Epitaksi pancaran molekul laser (L-MBE) ialah teknologi penyediaan filem baharu yang dibangunkan sejak beberapa tahun kebelakangan ini, yang merupakan gabungan organik epitaksi pancaran molekul dan teknologi pemendapan laser berdenyut, dan teknologi salutan penyejatan laser di bawah keadaan epitaksi pancaran molekul.

Pada masa ini, peralatan PVD utama dalam proses pembuatan cip terutamanya termasuk peralatan PVD Topeng Keras, PVD sambung tembaga (CuBS) dan PVD pelapik aluminium (Al PAD), terutamanya menggunakan teknologi salutan sputtering.

1, Konsep PVD dan CVD

PVD: Pemendapan Wap Fizikal (PVD), juga dikenali sebagai teknologi pemendapan wap fizikal, ialah teknologi penyediaan filem nipis yang memendapkan bahan pada permukaan objek melalui kaedah fizikal di bawah keadaan vakum. Teknologi salutan terutamanya dibahagikan kepada tiga jenis: salutan sputtering vakum, salutan ion vakum dan salutan penyejatan vakum. Boleh memenuhi keperluan salutan termasuk plastik, kaca, logam, filem, seramik dan substrat lain.

CVD: Penyejatan Wap Kimia (CVD), juga dikenali sebagai pemendapan meteorologi kimia, ialah kaedah yang merujuk kepada tindak balas gas pada suhu tinggi, penguraian haba logam halida, organometrik, hidrokarbon, dll., pengurangan hidrogen atau tindak balas biokimia bagi campuran gasnya di bawah suhu tinggi untuk memendakan bahan bukan organik seperti logam, oksida, karbida, dll. Ia digunakan secara meluas dalam lapisan bahan tahan haba, pengeluaran logam ketulenan tinggi dan pengeluaran filem semikonduktor.

2、Proses Pemendapan Wap Fizikal (PVD).

1) Salutan sputtering vakum: Apabila zarah bertenaga tinggi dipercepatkan oleh medan elektrik, ia memberi kesan kepada permukaan pepejal, dan atom/molekul permukaan pepejal bertukar tenaga kinetik dengan zarah bertenaga tinggi ini, lantas terbang keluar dari fenomena permukaan yang dipanggil sputtering . Mengikut perbezaan dalam cara suntikan, ia dibahagikan kepada sputtering katod dan anod, sputtering tiga atau empat peringkat, sputtering frekuensi tinggi, sputtering berat sebelah, sputtering AC asimetri, sputtering penjerapan, dan lain-lain, dan yang paling biasa digunakan ialah sputtering magnetron. .

2) Salutan penyejatan vakum: Ia adalah kaedah memanaskan dan menyejat bahan pepejal dalam vakum untuk memekatkannya pada permukaan substrat untuk membentuk filem.

3）Prinsip asas penyaduran ion vakum ialah di bawah keadaan vakum, beberapa teknologi pengionan plasma digunakan untuk mengion sebahagian atom penyaduran menjadi ion, sambil menghasilkan banyak atom neutral bertenaga tinggi, dan pincang negatif ditambahkan pada substrat bersalut. Dengan cara ini, di bawah tindakan bias negatif dalam, ion dimendapkan pada permukaan substrat untuk membentuk filem nipis.

Proses pemendapan PVD boleh dibahagikan secara kasar kepada tiga bahagian: penyejatan penyaduran, penghijrahan penyaduran dan pemendapan penyaduran.

3、Proses CVD (Chemical Vapor Evaporation).

Penyejatan Wap Kimia (CVD) ialah pemendapan meteorologi kimia, yang merujuk kepada tindak balas fasa gas di bawah suhu tinggi. Proses ini terutamanya merujuk kepada tindak balas fasa gas di bawah suhu tinggi, dan digunakan secara meluas dalam lapisan bahan tahan haba, pengeluaran logam ketulenan tinggi dan pengeluaran filem semikonduktor.

Sumber bahan reaktif CVD boleh dibahagikan kepada:

• Sumber bahan gas: bahan yang bergas pada suhu bilik (H2, N2, CH4, Ar, dll.). Apabila sumber bahan gas digunakan, sistem peranti lapisan sangat dipermudahkan kerana hanya kadar aliran gas tindak balas yang perlu dikawal oleh meter aliran, bukannya suhu.
• Sumber bahan cecair: bahan reaktif yang cair pada suhu bilik, seperti TiCl4, CH3CN, SiCl4 dan BCl3. Jumlah sumber bahan cecair yang memasuki ruang pemendapan dikawal dengan mengawal gas pembawa dan suhu pemanasan apabila aliran bahan cecair digunakan.
• Sumber bahan pepejal: Bahan pepejal pada suhu bilik, seperti AlCl, NbCl5, TaCl5, ZrCl5 dan HfCl4. Oleh kerana bahan jenis ini perlu menyublimkan jumlah stim yang diperlukan pada suhu yang lebih tinggi, suhu pemanasan dan kapasiti bawaan perlu dikawal dengan ketat apabila menggunakan proses seperti ini.

Pengenalan produk AMAT PVD

Proses pemendapan PVD digunakan dalam pembuatan semikonduktor untuk membuat filem nitrida logam ultra-nipis, ultra-tulen dan logam peralihan untuk pelbagai peranti logik dan memori. Aplikasi PVD yang paling biasa ialah plat aluminium dan pemekatan pad, pelapik titanium dan titanium nitrida, pemendapan penghalang, dan pemendapan biji penghalang kuprum untuk pelogatan antara sambungan.

Proses pemendapan filem PVD memerlukan platform vakum tinggi di mana proses pemendapan PVD disepadukan dengan teknologi penyahgasan dan prarawatan permukaan untuk mendapatkan antara muka dan kualiti filem yang terbaik. Platform Endura Bahan Gunaan ialah piawaian emas industri semasa untuk metalisasi PVD.

Fountyl Technologies PTE Ltd, memberi tumpuan kepada industri pembuatan semikonduktor, produk utama termasuk: pin chuck, ring groove chuck, porous ceramic chuck, seramik end effector, rasuk&panduan seramik, bahagian struktur seramik, dialu-alukan untuk dihubungi dan berunding！