Hoogwaardige aluminium siliciumcarbidecomponenten van Japanse exporteurs

Gerelateerde producten

Ringgroefklauwplaat wordt veel gebruikt in halfgeleiderproductieapparatuur voor het absorberen, fixeren, overbrengen en hanteren van de siliciumwafels, wafels en verschillende werkstukken en materialen.

Lees verder

Aluminiumoxide-keramiek met uitstekende plasmacorrosieweerstand en hoge slijtvastheid

Poreus keramiek met hoge temperatuurbestendigheid, hoge sterkte, goede chemische stabiliteit

PEEK-materiaal met hoogwaardige technische kunststof met uitstekende hittebestendigheid, chemische bestendigheid, mechanische sterkte en maatvastheid

Siliciumcarbide gebruikt voor corrosiebestendige onderdelen, afdichtingsonderdelen, hittebestendige onderdelen, geleiderails en vierkante balken

Elektrostatische boorkop met compatibiliteit, hoge dichtheid, hoge structurele sterkte met maatwerk

Keramische onderdelen van berylliumoxide die worden gebruikt voor auto's, halfgeleiders en grote geïntegreerde schakelingen

Best verkopende producten

Poreus luchtdrijvend platform met de belastingoverdrachtstechnologie van contactloze modus voor de halfgeleiderindustrie

Zirkonia gebruikt voor slijtvaste onderdelen, hittebestendige onderdelen

Kwartsglas gesmolten met verschillende soorten puur natuurlijk kwarts

Structureel onderdeel van aluminium-siliciumcarbide dat wordt gebruikt voor de luchtvaart, ruimtevaart, marineschepen, spoorwegvervoer, nieuwe energievoertuigen

Wafer-pinhouder gebruikt voor halfgeleiderbelichtingsapparaat en wafer-inspectie-apparaat

Keramische constructiedelen (keramische onderdelen)

Gerelateerde blog

Er is vooruitgang geboekt bij het onderzoek naar enkele kristallen van 8 inch siliciumcarbide

De kenmerken van de hoogwaardige kristalkwaliteit van de epitaxiale SiC-laag zorgen ervoor dat de epitaxiale laag een kristalstructuur met hoge zuiverheid en lage defectdichtheid moet hebben om de betrouwbaarheid te garanderen ...

Verbeterde technologie voor het verdunnen van galliumnitridesubstraten

De overstap naar een op waterstof gebaseerd plasma zorgt voor het snel etsen van GaN-substraten, en ingenieurs van de Osaka University in Japan beweren een nieuwe doorbraak te hebben bereikt in het verdunnen van galliumnitride (GaN...

Gerelateerde zoekopdracht

Leave Your Message