Изготовленный на заказ сингапурский патрон из карбида кремния для прецизионной обработки

Сопутствующие товары

Керамика из нитрида кремния с превосходными физическими, химическими и механическими свойствами.

Керамика из оксида бериллия с высокой теплопроводностью и низкими характеристиками потерь.

Квадратная балка и направляющая для сверхточной платформы перемещения и оборудования обнаружения

Конструкционная деталь из кварцевого стекла, используемая в полупроводниковой, оптике, оптической связи, фотоэлектрической и светодиодной областях.

Пористая керамика с высокой термостойкостью, высокой прочностью и хорошей химической стабильностью.

Зажимной патрон для пластин, используемый для устройства экспонирования полупроводников и устройства для проверки пластин.

Патрон с кольцевой канавкой широко используется в оборудовании для производства полупроводников для поглощения, фиксации, перемещения и обработки кремниевых пластин, пластин и различных заготовок и материалов.

Самые продаваемые продукты

Высокоточный керамический поршень для новой энергетики и медицины.

Керамические конструктивные детали (керамические детали)

Керамические детали из оксида бериллия, используемые в автомобилях, полупроводниках и больших интегральных схемах.

Конструкционная деталь из карбида алюминия и кремния, используемая в авиации, аэрокосмической отрасли, морских кораблях, железнодорожном транспорте, транспортных средствах на новой энергии.

Цирконий используется для изготовления износостойких и термостойких деталей.

Карбид кремния используется для изготовления коррозионностойких деталей, деталей уплотнений, деталей, устойчивых к высоким температурам, направляющих и квадратных балок.

Связанный блог

Керамические детали и кварцевые детали, перфторированные уплотнения и электростатический патрон....

В настоящее время отечественные вакуумные полупроводниковые детали эквивалентны стадии разработки отечественного полупроводникового оборудования примерно 3-5 лет назад, и несколько отечественных поставщиков различных деталей...

Типы резки пластин карбида кремния

Карбид кремния (SiC) рассматривается как альтернативный материал полупроводникам на основе кремния (Si) в электронной промышленности из-за его широкой запрещенной зоны, высокой механической прочности и высоких температур.

Связанный поиск

Leave Your Message