Высокопроизводительный керамический патрон с электропроводностью для эффективного обращения

Сопутствующие товары

Патрон с кольцевой канавкой широко используется в оборудовании для производства полупроводников для поглощения, фиксации, перемещения и обработки кремниевых пластин, пластин и различных заготовок и материалов.

Конструкционная деталь из кварцевого стекла, используемая в полупроводниковой, оптике, оптической связи, фотоэлектрической и светодиодной областях.

Керамика из оксида бериллия с высокой теплопроводностью и низкими характеристиками потерь.

Конструкционная деталь из карбида алюминия и кремния, используемая в авиации, аэрокосмической отрасли, морских кораблях, железнодорожном транспорте, транспортных средствах на новой энергии.

Квадратная балка и направляющая для сверхточной платформы перемещения и оборудования обнаружения

Керамический концевой эффектор (керамический палец, керамический манипулятор робота)

Карбид кремния используется для изготовления коррозионностойких деталей, деталей уплотнений, деталей, устойчивых к высоким температурам, направляющих и квадратных балок.

Самые продаваемые продукты

Керамические детали из оксида бериллия, используемые в автомобилях, полупроводниках и больших интегральных схемах.

Керамика из глинозема с превосходной стойкостью к плазменной коррозии и высокой износостойкостью.

Электростатический патрон с совместимостью, высокой плотностью, высокой структурной прочностью и индивидуальной

Микропористый керамический вакуумный патрон

Пористая керамика с высокой термостойкостью, высокой прочностью и хорошей химической стабильностью.

Керамика из карбида алюминия и кремния, используемая в аэрокосмической, автомобильной, военной, электронной, спортивной отраслях.

Связанный блог

В чем разница между подложкой и эпитаксией?

В цепочке полупроводниковой промышленности, особенно в промышленной цепочке полупроводников третьего поколения (полупроводников с широкой запрещенной зоной), будет подложка и эпитаксиальный слой, что является значи...

Усовершенствованная технология утончения подложки из нитрида галлия

Переход на водородную плазму обеспечивает высокоскоростное травление подложек GaN, а инженеры Осакского университета в Японии утверждают, что совершили новый прорыв в утончении нитрида галлия (GaN...

Связанный поиск

Leave Your Message