Ведущие сингапурские экспортеры керамики из карбида кремния | Качественная продукция

Сопутствующие товары

Керамика из глинозема с превосходной стойкостью к плазменной коррозии и высокой износостойкостью.

Электростатический патрон с совместимостью, высокой плотностью, высокой структурной прочностью и индивидуальной

Микропористый керамический вакуумный патрон

Плавающая платформа на пористом воздухе с технологией передачи нагрузки бесконтактным способом для полупроводниковой промышленности

Конструкционная деталь из карбида алюминия и кремния, используемая в авиации, аэрокосмической отрасли, морских кораблях, железнодорожном транспорте, транспортных средствах на новых источниках энергии.

Кварцевое стекло, расплавленное с различными видами чистого природного кварца.

Керамические конструктивные детали (керамические детали)

Самые продаваемые продукты

Материал PEEK с высокоэффективным конструкционным пластиком, обладающий превосходной термостойкостью, химической стойкостью, механической прочностью и стабильностью размеров.

Керамика из нитрида кремния с превосходными физическими, химическими и механическими свойствами.

Патрон с кольцевой канавкой широко используется в оборудовании для производства полупроводников для поглощения, фиксации, перемещения и обработки кремниевых пластин, пластин и различных заготовок и материалов.

Керамика из оксида бериллия с высокой теплопроводностью и низкими характеристиками потерь.

Пористая керамика с высокой термостойкостью, высокой прочностью и хорошей химической стабильностью.

Конструкционная деталь из кварцевого стекла, используемая в полупроводниковой, оптике, оптической связи, фотоэлектрической и светодиодной областях.

Связанный блог

Зрелое оборудование SPI, введение в эксплуатацию машины для обнаружения 3D-паяльной пасты

После многих лет применения на рынке это оборудование для обнаружения SPI стало достаточно зрелым и эффективным.

Усовершенствованная технология утончения подложки из нитрида галлия

Переход на водородную плазму обеспечивает высокоскоростное травление подложек GaN, а инженеры Осакского университета в Японии утверждают, что совершили новый прорыв в утончении нитрида галлия (GaN...

Связанный поиск

Leave Your Message